[发明专利]半导体器件及制造其的方法

说明书

本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件，其包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。

技术领域

实施方式涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件具有更高的容量并变得更加高度集成，设计规则会改变。在动态随机存取存储器(DRAM)(其是一种类型的存储半导体器件)中也会发生设计规则的改变。

发明内容

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。

第一气隙间隔物可以包括由着落垫垂直重叠的第一气隙和不由着落垫垂直重叠的第二气隙。

阻挡绝缘层的下部可以与第一气隙间隔物的最高部接触。

半导体器件还可以包括：第二接触插塞，其在位线的延伸方向上与第一接触插塞分开；在第二接触插塞的侧壁上的第二气隙间隔物；以及在第一接触插塞与第二接触插塞之间的中间绝缘层。阻挡绝缘层可以包括将第一气隙间隔物和第二气隙间隔物连接的局部层。

半导体器件还可以包括：第二接触插塞，其在位线的延伸方向上与第一接触插塞分开；以及在第一接触插塞与第二接触插塞之间的中间绝缘层。阻挡绝缘层可以包括第一局部层，第一局部层在与第一接触插塞和第二接触插塞相邻的中间绝缘层的两个侧壁上。

阻挡绝缘层还可以包括连接第一局部层的第二局部层。

阻挡绝缘层还可以包括覆盖位线的上表面的第三局部层。

第一局部层和第二局部层可以围绕中间绝缘层的侧壁。

阻挡绝缘层可以包含硅氮化物。

阻挡绝缘层可以包括留在其侧壁的内侧上的硅氧化物层。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：在衬底上的位线；在衬底上的接触插塞，接触插塞与位线相邻；在位线的侧壁上的位线间隔物；在接触插塞的侧壁上的接触插塞间隔物；在位线间隔物和接触插塞间隔物上的气隙盖层；以及由位线间隔物、接触插塞间隔物和气隙盖层限定的气隙间隔物。

从位线的底表面到气隙间隔物的最高部的高度可以基本上等于从位线的底表面到接触插塞间隔物的最高部的高度。

半导体器件还可以包括在接触插塞的上表面上的着落垫。着落垫可以不覆盖气隙盖层。

气隙间隔物可以包括第一气隙和第二气隙。第一气隙可以由着落垫垂直地重叠，第二气隙可以不由着落垫垂直地重叠。

半导体器件还可以包括在着落垫中的沟槽。第二气隙可以连接到沟槽的下表面。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：位线；连接到衬底中的有源区域的接触插塞；接触该接触插塞的接触插塞间隔物；接触位线的位线间隔物；以及在接触插塞间隔物与位线间隔物之间的间隔物，该间隔物具有低k介电常数。

该间隔物可以包括空气。