[发明专利]用于制造传感器结构的方法和带有传感器结构的传感器有效
| 申请号： | 201810763479.2 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109249020B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 安娜·玛丽亚·克伦霍尔茨;乌利齐·德穆特 | 申请（专利权）人： | WIKA亚历山大·威甘德欧洲股份两合公司 |
| 主分类号： | B22F3/105 | 分类号： | B22F3/105;G01D5/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王瑞朋;王朝辉 |
| 地址： | 德国克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 传感器 结构 方法 带有 | ||
1.一种用于制造传感器结构的方法，具有：
将基底材料施加到转移载体上，
将转移载体设置在传感器本体上，以及
借助局部能量输入将基底材料的至少部分从转移载体传递到传感器本体上，其中，将所述传感器结构熔融到传感器本体上，
其中，通过事后退火产生传感器结构的倒圆的角部。
2.根据权利要求1所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述传递脉冲式或连续地或通过熔融进行。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，此外具有：
在传递所述基底材料之后去除转移载体；以及
调节和/或照射传递到所述传感器本体上的传感器结构。
4.根据权利要求3所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述调节包括调温或再烧结。
5.根据权利要求3所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述传感器结构通过照射被部分重新去除或被部分分离。
6.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，此外具有：
在传递所述基底材料之前将绝缘层施加到所述传感器本体上，所述基底材料绝缘层的厚度为1μm到10μm。
7.根据权利要求6所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述绝缘层具有玻璃。
8.根据权利要求7所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述绝缘层由玻璃构成。
9.根据权利要求6所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述绝缘层是粗糙的并且具有1nm到6nm的中心高度Rpk以及1nm到6nm的沟槽深度Rvk。
10.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，局部能量输入通过照射实现。
11.根据权利要求10所述的用于制造传感器结构的方法，其中，局部能量输入借助激光束或电子束实现。
12.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述局部能量输入选择性地在所述传感器本体的预先确定的部位处进行。
13.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，在所述转移载体上的基底材料的层厚度为10nm到100nm。
14.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述基底材料的颗粒具有1nm到100nm的直径。
15.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，所述转移载体由玻璃或薄膜构成。
16.根据权利要求1或2所述的用于制造传感器结构的方法，其中，将所述基底材料以静电方式、通过溅射、在气相中或以化学方式施加到所述转移载体上。
17.一种传感器，具有：
传感器本体，和
利用根据权利要求1至16中任一项所述的方法制造的传感器结构。
18.根据权利要求17所述的传感器，其中，所述传感器还具有绝缘层，该绝缘层的厚度为1μm到10μm且具有玻璃，并且该绝缘层是粗糙的并且具有1nm到6nm的中心高度Rpk以及1nm到6nm的沟槽深度Rvk。
19.根据权利要求18所述的传感器，其中，所述绝缘层由玻璃构成。
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