[发明专利]用于制造传感器结构的方法和带有传感器结构的传感器

说明书

一种用于制造传感器结构的方法，具有：将基底材料施加到转移载体上，将转移载体设置在传感器本体上，以及借助局部能量输入将基底材料的至少部分从转移载体传递到传感器本体上。

技术领域

本发明涉及一种用于制造传感器结构的方法以及一种带有传感器结构的传感器。该方法包括将层转移和熔融。具有传感器本体和传感器结构的传感器应用于物理变量的检测系统中。

背景技术

传统的用于在传感器本体上制造传感器结构的方法是费事的，成本高昂的而且并不适合经济地将传感器结构施加到弯曲的表面上。

发明内容

因此，本发明的任务是提出了成本低廉的用于在传感器本体上并且尤其在传感器本体的弯曲的表面上制造传感器结构的解决方案，和提供一种相应的传感器。此外，还要提出一种用于测量物理变量例如压力、流量或温度的结构，其中或为此提出了在传感器本体上的测量电阻。此外，优选地要产生非常均匀的薄的结构层，其中这要在一个或较少的工序中进行。

前述的任务利用根据权利要求1所述的方法或根据权利要求14所述的传感器来解决。本发明的有利的设计方案是相应的从属权利要求的主题。

根据本发明的用于制造传感器结构的方法具有如下步骤：将基底材料施加到转移载体上；将转移载体设置在传感器本体上；以及借助局部能量输入将基底材料的至少部分从转移载体传递到传感器本体上。

通过该方法直接借助局部能量输入逐步地将用于传感器结构的基底材料从转移载体传递到传感器本体上。选择性的转移过程能够实现经济地产生或沉积传感器结构。在使用柔性的转移载体时，传感器结构也可以在传感器本体的弯曲的表面上成本低廉地产生。

根据本发明的方法的大的优点是不需要刻蚀过程。在刻蚀中的困难在于，刻蚀溶液的浓度必须尽可能是恒定的，并且因此常常更换，以及必须确保其均匀性。因为刻蚀速率随着温度而增加，所以稳定的且精确的温控对于可再现性而言是重要的。根据本发明的方法消除了刻蚀的缺点。

优选地，该方法附加地具有如下步骤：在传递基底材料之后去除转移载体；以及调节(Konditionieren)和/或照射传递到传感器本体上的传感器结构。调节可以包括调温或再烧结。传感器结构部分通过照射又被去除或部分分离。

直接的热处理用于改进表面，均匀的结构以及所施加的传感器结构的棱边形成。利用选择性照射可以更精确地制造传感器结构，或可以补偿或减小在传递基底材料中的不精确性。

优选地，该方法附加地具有如下步骤：在传递基底材料之前，将绝缘层施加到传感器本体上。绝缘层的厚度优选为1μm到10μm。此外，绝缘层具有玻璃或完全由玻璃构成。

绝缘层防止在传感器结构与传感器本体之间不期望的传导的连接。

绝缘层是粗糙的并且具有1nm到6nm的减小的中心高度R_pk以及1nm到6nm的减小的沟槽深度R_vk。R_pk和R_vk的值所在的范围主要取决于基本体的材料特性。

这描述了类似具有深细的沟槽或毛细管的平台的表面。多孔性和粗糙度有利于通过在基底材料与传感器本体之间的粘附力的增强来传递或(局部)完全润湿传感器本体。

优选地，通过照射实现局部能量输入。这优选借助激光束或电子束进行。

通过使用激光束或电子束可以精确地控制处理时间或能量输入，使得可以节省位于传感器上的其他材料。

优选地，局部能量输入选择性地在传感器本体的预先确定的部位处进行。

这能够实现高效的传感器本体和该传感器本体或位于其上的其他材料温和地制造传感器结构本体。