[发明专利]荧光材料在审
| 申请号： | 201810763730.5 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110713830A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 江德生 | 申请（专利权）人： | 富源磁器股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光材料 红外线放射 化学式表示 宽带 光谱 | ||
【权利要求书】：
1.一种荧光材料，其特征在于，以化学式表示为Ca3Ga2Ge3-xSnxO12:yCr3+，其中x为0.01至0.5的一个数值，y为0.001至0.5的一个数值。
2.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中x大于或等于0.1，但小于或等于0.3。
3.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中x等于0.1。
4.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中x等于0.2。
5.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中x等于0.3。
6.根据权利要求2所述的荧光材料，其特征在于，其中y大于或等于0.005，但小于或等于0.02。
7.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中所述荧光材料的激发波长范围为400nm至530nm。
8.根据权利要求7所述的荧光材料，其特征在于，其中所述激发波长范围具有峰值为465nm。
9.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中所述荧光材料的第一放射波长范围为650nm至850nm，且所述第一放射波长范围具有峰值为755nm。
10.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中所述荧光材料的第二放射波长范围为850nm至1150nm。
11.根据权利要求1所述的荧光材料，其特征在于，其中所述荧光材料为一种近红外光荧光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富源磁器股份有限公司，未经富源磁器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810763730.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
