[发明专利]荧光材料

说明书

本发明是关于一种荧光材料，以化学式表示为Ca₃Ga₂Ge_3‑xSn_xO₁₂:yCr³⁺，其中x为0.01至0.5的数值，y为0.001至0.5的数值。利用本发明的荧光材料，能得到具有宽带的红外线放射光谱。

技术领域

本发明是关于一种荧光材料，特别是关于一种近红外光荧光材料。

背景技术

近红外光一般泛指波长介于780nm至1400nm的电磁波。由于近红外光具有快速、准确、可在线或远距检测、高穿透力、对热源高敏感度及非破坏性等等的侦测优点，近年来被广泛用于农渔牧产品的检测。另外，也应用在如石化业、环保业、生物医学、半导体产业等等的产业领域别。

因卤素灯容易取得且价格便宜，且其可提供高强度的连续发射的近红外光，因此其最常被用以搭配红外线滤光片来提供近红外光源。然而，卤素灯用于产生近红外光源的过程中，将产生大量的热，且连续发射的近红外光的波长也会随着时间变动。此外，也因为卤素灯提供的发射光的波长有一定比例会落在近红外光区外，因此造成能量的损失。

有鉴于此，目前极需一种崭新的近红外光荧光材料，以解决上述使用卤素灯产生近红外光源所面临的问题。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的卤素灯产生近红外光源所面临的问题，即，卤素灯用于产生近红外光源的过程中，将产生大量的热，且连续发射的近红外光的波长也会随着时间变动。此外，卤素灯提供的发射光的波长有一定比例会落在近红外光区外，因此造成能量的损失。因此本发明提出一种近红外光荧光材料，本发明的近红外光荧光材料具有宽带(broad band)的放射光谱，更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

依据本发明提出的荧光材料，以化学式表示为Ca₃Ga₂Ge_3-xSn_xO₁₂:yCr³⁺，其中x为0.01至0.5的数值，y为0.001至0.5的数值。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的荧光材料，其中x大于或等于0.1，但小于或等于0.3。

前述的荧光材料，其中x等于0.1。

前述的荧光材料，其中x等于0.2。

前述的荧光材料，其中x等于0.3。

前述的荧光材料，其中y大于或等于0.005，但小于或等于0.02。

前述的荧光材料，其中所述荧光材料的激发波长范围为约400nm至约530nm。

前述的荧光材料，其中所述荧光材料的激发波长范围具有峰值为约465nm。

前述的荧光材料，其中所述荧光材料的第一放射波长范围为约650nm至约850nm，且第一放射波长范围具有峰值为约755nm。

前述的荧光材料，其中所述荧光材料的第二放射波长范围为约850nm至约1150nm。

前述的荧光材料，其中所述荧光材料为一种近红外光荧光材料。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明荧光材料可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：

1、本发明荧光材料提供一种近红外光荧光材料，且具有宽带(broad band)的放射光谱，且随着本发明荧光材料中Sn掺杂比例的提高，能提高近红外光的放射比例。