[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有相邻的鳍部；

分别形成横跨鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构之间具有初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构的两侧分别与伪栅结构相接触；

在所述基底顶部、鳍部的侧壁和顶部表面、伪栅结构的侧壁、以及初始第一隔离结构的侧壁形成第一介质层；

去除所述伪栅结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；

形成所述伪栅开口之后，沿鳍部宽度方向上去除部分初始第一隔离结构，形成第一隔离结构；

形成所述第一隔离结构之后，在所述伪栅开口内形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构和初始第一隔离结构的形成方法包括：在所述基底顶部、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成伪栅结构膜；对所述伪栅结构膜进行第一次图形化工艺，直至暴露出基底的顶部表面，在相邻鳍部之间形成开口；在所述开口内形成初始第一隔离结构；形成初始第一隔离结构之后，对所述伪栅结构膜进行第二次图形化工艺，形成所述伪栅结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构膜之前，还包括：在所述基底表面形成第二隔离结构，所述第二隔离结构的顶部低于鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构包括伪栅介质层；所述伪栅介质层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一隔离结构的材料与伪栅介质层的材料不同。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一隔离结构的材料包括碳化硅、氮氧化硅、氮化硅或者碳氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构侧壁和底部的夹角为60度～90度；沿鳍部的宽度方向上，所述第一隔离结构顶部尺寸小于底部尺寸。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿鳍部宽度方向上，所述第一隔离结构顶部的尺寸为：30纳米～50纳米；沿鳍部宽度方向上，所述第一隔离结构底部的尺寸为：70纳米～90纳米。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部侧壁到第一隔离结构侧壁的最小距离为：20纳米～40纳米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构之后，形成第一介质层之前，还包括：在所述伪栅结构两侧的鳍部内分别形成源漏掺杂区。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构之后，还包括：在所述第一介质层、第一隔离结构顶部、以及栅极结构顶部形成第二介质层；去除所述源漏掺杂区顶部的第二介质层和第一介质层，直至暴露出源漏掺杂区的顶部表面，在所述第一介质层和第二介质层内形成第一接触孔；去除栅极结构顶部的第二介质层，在所述第二介质层内形成第二接触孔；在所述第一接触孔内形成第一插塞；在所述第二接触孔内形成第二插塞。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面具有相邻的鳍部；

位于基底顶部的第一介质层，所述第一介质层内具有第一隔离结构，所述第一隔离结构的顶部尺寸小于底部尺寸，所述第一隔离结构两侧的第一介质层内分别具有伪栅开口，且所述伪栅开口暴露出第一隔离结构的侧壁；

位于所述伪栅开口内的栅极结构。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构侧壁和底部的夹角为60度～90度；沿鳍部的宽度方向上，所述第一隔离结构顶部尺寸小于底部尺寸。