[发明专利]形成半导体结构的方法及封装件

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

将封装组件和多个金属销密封在密封材料中，其中，所述密封材料包括位于所述封装组件正上方的第一部分；

图案化所述密封材料的所述第一部分以形成露出位于所述封装组件中的导电部件的开口；

形成延伸到所述开口中以接触所述导电部件的再分布线；以及

在所述导电部件上方形成电连接件并电连接至所述导电部件，

其中，所述封装组件与所述多个金属销附接至粘合膜的同一表面，所述多个金属销均包括附接至所述粘合膜的销头和连接至所述销头的销尾，其中，所述销头的尺寸大于所述销尾的尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

图案化所述密封材料的第二部分以形成穿透所述密封材料的贯通孔，其中，所述贯通孔延伸至至少与所述封装组件的底面共面的水平面；以及

填充所述贯通孔以在所述密封材料中形成密封环。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述密封环包括位于所述密封材料的相对侧壁上的相对部分，并且所述方法还包括分配介电层，其中，所述介电层的一部分在所述密封环的所述相对部分之间延伸。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述密封环是环绕所述封装组件的完整环。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括位于所述密封材料上方的额外的密封环，其中，所述密封环和所述额外的密封环相互连接以形成集成密封环。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述密封材料包括位于所述金属销的正上方的第二部分，并且其中，当图案化所述密封材料的所述第一部分时，同时图案化所述密封材料的所述第二部分以形成露出所述多个金属销的凹槽。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

预先形成所述多个金属销；

将已形成的所述多个金属销附接到所述粘合膜上；以及

将所述封装组件附接至所述粘合膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，不对所述密封材料实施平坦化，并且在形成所述再分布线时，所述密封材料的所述第一部分具有第一顶面，并且环绕所述封装组件的所述密封材料的第二部分具有低于所述第一顶面的第二顶面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述密封材料中不含填料颗粒。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

将器件管芯附接至基底层；

将所述器件管芯密封在密封材料中，其中，所述密封材料包括位于所述器件管芯的正上方的第一部分和环绕所述第一部分的第二部分；

图案化所述密封材料的所述第一部分以形成露出所述器件管芯中的导电部件的第一开口；

图案化所述密封材料的所述第二部分以形成露出所述基底层的第二开口；

形成延伸到所述第一开口中的再分布线；以及

形成延伸到所述第二开口中的密封环，

其中，所述密封环的内底角为圆角。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，同时图案化所述密封材料的所述第一部分和所述第二部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述密封材料由光敏材料形成，并且图案化所述密封材料的所述第一部分和图案化所述密封材料的所述第二部分包括曝光和显影。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述密封环从比所述器件管芯的顶面高的第一水平面延伸至比所述器件管芯的底面低的第二水平面。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述密封环完全环绕所述器件管芯。