[发明专利]形成半导体结构的方法及封装件

说明书

一种形成半导体结构的方法包括将封装组件密封在密封材料中，其中，密封材料包括直接位于封装组件上方的一部分。图案化密封材料的该部分以形成露出封装组件中的导电部件的开口。再分布线延伸到开口中以接触导电部件。电连接件形成在导电部件上方并电连接至导电部件。本发明实施例还提供另一种形成半导体结构的方法和一种封装件。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体结构的方法和封装件。

背景技术

随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成在半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至在较小的区域内，并且因此随着时间I/O焊盘的密度迅速提升。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会对封装产量产生不利影响。

传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被切割之前进行封装。这种封装技术具有诸如更大的产量和更低的成本的一些有利的特征。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有缺陷。由于管芯的尺寸正变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘限制于直接位于相应的管芯的表面上方的区域，由于管芯的有限区域，由于I/O焊盘的间距的限制，I/O焊盘的数量受到限制。如果焊盘的间距减小，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的球尺寸需求下，焊球必须具有特定的尺寸，这进而限制了可以封装在管芯的表面上的焊球的数量。

在另一类封装中，管芯在它们被封装之前进行切割。该封装技术的有利特征是可能形成扇出型封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增大封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，以及丢弃缺陷管芯，并且因此不会在缺陷管芯上浪费成本和精力。

在扇出封装件中，将器件管芯封装在模塑料中，然后平坦化以暴露器件管芯。在器件管芯上方形成介电层。在介电层中形成再分布线以连接至器件管芯。当形成再分布线时在介电层中形成密封环。扇出封装件还可以包括穿透模塑料的贯通孔。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种形成半导体结构的方法，包括：将封装组件密封在密封材料中，其中，密封材料包括位于封装组件正上方的第一部分；图案化密封材料的第一部分以形成露出位于封装组件中的导电部件的开口；形成延伸到开口中以接触导电部件的再分布线；以及在导电部件上方形成电连接件并电连接至导电部件。

根据本发明的另一方面，提供一种形成半导体结构的方法，包括：将器件管芯附接至基底层；将器件管芯密封在密封材料中，其中，密封材料包括位于器件管芯的正上方的第一部分和环绕第一部分的第二部分；图案化密封材料的第一部分以形成露出器件管芯中的导电部件的第一开口；图案化密封材料的第二部分以形成露出基底层的第二开口；形成延伸到第一开口中的再分布线；以及形成延伸到第二开口中的密封环。

根据本发明的另一方面，提供一种封装件，包括：器件管芯；密封材料，器件管芯密封在密封材料中，其中，密封材料包括：第一部分，直接位于器件管芯上方，其中，第一部分具有第一顶面；以及第二部分，环绕器件管芯，其中，第二部分具有比第一顶面低的第二顶面；密封环，位于密封材料中；以及第一再分布线和第二再分布线，包括位于密封材料上方的部分，其中，第一再分布线和第二再分布线分别连接至器件管芯和密封环。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图9示出根据一些实施例的形成包括穿透模制材料的密封环的封装件的中间阶段的截面图。

图10至图21示出根据一些实施例的形成包括穿透模制材料的金属销的封装件的中间阶段的立体图和截面图。