[发明专利]半导体开关装置和方法

权利要求书

1.一种半导体开关装置，其特征在于，包括：

具有主表面的半导体基板；

定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型；

定位在所述主表面上的细长栅极；

具有第二导电类型的源极区，其中所述源极区定位在邻近所述栅极的第一细长边缘的所述第一半导体区中；

具有所述第二导电类型的漏极区，其中所述漏极区定位在邻近所述栅极的第二细长边缘的第一半导体区中；

用于形成与所述源极区和所述漏极区的电连接的电接触，其中所述电接触包括定位在所述源极区或所述漏极区上的至少两个接触，其中所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开，和

当从所述基板的所述主表面上方观察时定位在所述至少两个接触之间的隔离区，其中所述隔离区从所述主表面延伸通过源极/漏极区到所述第一半导体区。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，最接近所述栅极定位的每个接触的边缘距所述栅极距离Lc定位，其中最接近所述栅极定位的所述隔离区的边缘距所述栅极距离D_ir定位，并且其中L_c≤D_ir。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，L_c＜D_ir，并且其中在基本上平行所述栅极的所述细长边缘方向上的所述隔离区的尺寸W_ir基本上等于在相同的方向上的所述接触之间的间距，使得当从所述主表面上方观察时，所述隔离区从所述接触的第一的边缘延伸到所述接触的第二的相对边缘。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其特征在于，在基本上平行所述栅极的所述细长边缘方向上的所述隔离区的尺寸W_ir小于在相同的方向上的所述接触之间的所述间距。

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，包括定位在所述源极区上的至少三个所述接触和/或定位在所述漏极区上的至少三个所述接触，并且其中所述隔离区定位在所述源极区和/或所述漏极区的每对相邻接触之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，进一步包括定位在所述源极/漏极区中的一排所述接触的端部处的至少一个隔离区，其中所述隔离区从所述主表面延伸通过所述源极/漏极区到所述第一半导体区。

7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述电接触包括定位在所述源极区上的至少两个接触和定位在所述漏极区上的至少两个接触，其中在所述源极区上的所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开，其中在所述漏极区上的所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开，其中当从所述基板的所述主表面上方观察时，所述装置包括定位在所述源极区上的所述至少两个接触之间的隔离区，其中当从所述基板的所述主表面上方观察时，所述装置包括定位在所述漏极区上的所述至少两个接触之间的隔离区，并且其中每个隔离区从所述主表面延伸通过所述源极/漏极区到所述第一半导体区。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，在所述源极区上的所述接触之间的所述间距基本上等于在所述漏极区上的所述接触之间的所述间距，并且其中在所述漏极区上的所述接触在平行于所述栅极的所述细长边缘的方向上相对于在所述源极区上的所述接触偏移，其中所述偏移基本上等于在所述源极区上的所述接触之间的所述间距的一半。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，在所述源极区上的所述接触之间的所述间距不同于在所述漏极区上的所述接触之间的所述间距。

10.一种制备半导体开关装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有主表面的半导体基板和定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型；

沉积和图案化栅极介电质和栅极电极材料以在所述主表面上形成细长栅极；

形成具有第二导电类型的源极区，其中所述源极区定位在邻近所述栅极的第一细长边缘的所述第一半导体区中；

形成具有所述第二导电类型的漏极区，其中所述漏极区定位在邻近所述栅极的第二细长边缘的第一半导体区中；

形成从所述主表面延伸通过所述源极或所述漏极区到所述第一半导体区的隔离区，和

沉积用于形成与所述源极区和所述漏极区的电连接的电接触，其中所述电接触包括定位在所述源极区或所述漏极区上的至少两个接触，其中所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开，并且其中当从所述基板的所述主表面上方观察时，所述隔离区定位在所述至少两个接触之间。