[发明专利]半导体开关装置和方法

说明书

本发明提供一种半导体开关装置以及一种制备所述半导体开关装置的方法。所述装置包括具有主表面的半导体基板。所述装置还包括定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区。所述装置包括定位在所述主表面上的细长栅极。所述装置还包括定位在邻近所述栅极的相应第一和第二细长边缘的所述第一半导体区中的源极区和漏极区。所述装置还包括用于所述源极和漏极区的电接触。所述接触包括定位在所述源极区或漏极区上的至少两个接触，所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开。所述装置另外包括定位在所述至少两个接触之间的隔离区。所述隔离区从所述主表面延伸通过所述源极/漏极区到所述第一半导体区。

技术领域

本说明书涉及半导体开关装置和制备半导体开关装置的方法。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可用作用于高射频(RF)信号的电开关。对于这些应用，装置并不实际上在高频率下切换，而是传递或阻挡RF信号。通过组合接通状态下的低串联电阻与断开状态下的低输入电容的装置实现最好的性能。评估射频开关MOSFET的总体性能的一种最受欢迎的方式是计算优值(FOM)，优值被定义为接通状态电阻(R_on)和断开状态电容(C_off)的乘积。

对断开状态电容有贡献的为如下式中示出的栅极到源极电容(C_gs)、栅极到漏极电容(C_gd)、栅极到基板电容(C_gb)、漏极到基板电容(C_db)和源极到基板电容(C_sb)电容：

C_ss＝C_ds+C_gs+C_sb

C_dd＝C_ds+C_gd+C_db

此处，C_ds为沟道电容，并且C_sb、C_db分别为源极到体电容、漏极到体电容。重叠电容(C_gs＝C_gd)和寄生接面电容(C_db＝C_sb)十分重要，这是因为它们构成总断开状态电容(C_off)的两个重要部分。因此，为了实现低C_off，期望减小重叠电容和/或寄生接面电容。

发明内容

在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的方面。从属权利要求的特征的组合可按需要与独立权利要求的特征组合，并且不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。

根据本公开的一个方面，提供半导体开关装置，包括：

具有主表面的半导体基板；

定位在主表面下方的基板中的第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型；

定位在主表面上的细长栅极；

具有第二导电类型的源极区，其中源极区定位在邻近栅极的第一细长边缘的第一半导体区中；

具有第二导电类型的漏极区，其中漏极区定位在邻近栅极的第二细长边缘的第一半导体区中；

用于形成与源极区和漏极区的电连接的电接触，其中电接触包括定位在源极区或漏极区上的至少两个接触，其中所述至少两个接触沿基本上平行栅极的细长边缘的方向间隔开，和

当从基板的主表面上方观察时定位在所述至少两个接触之间的隔离区，其中隔离区从主表面延伸通过源极/漏极区到第一半导体区。