[发明专利]图案化多层结构的方法

权利要求书

1.一种图案化多层结构的方法，其包括：

在基底的第一表面上由第一层材料形成第一层，使得所述第一层中形成多个空隙；

在所述第一层上由第二层材料形成第二层，使得所述第一层的第一区域的表面暴露，其中一部分所述第二层材料渗透到所述第一层的所述多个空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分；以及

移除所述第一层的所述第一区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二层材料与所述基底的粘附力强于所述第一层材料与所述基底的粘附力。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层的孔隙率大于所述第二层的孔隙率。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二层包括通过湿法涂布将所述第二层材料施加到所述第一层。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二层包括通过喷墨印刷将所述第二层材料施加到所述第一层。

6.如权利要求1所述的方法，其中移除所述第一区域包括使用清洁溶液清洁所述第一层的所述第一区域。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述清洁溶液包含去离子水。

8.如权利要求6所述的方法，其中移除所述第一区域包括使用喷水装置将所述清洁溶液施加到所述第一层的所述第一区域。

9.一种制造有机发光二极管装置的光提取基底的方法，所述方法包括：

在基底的第一表面上由散射层材料形成散射层，使得所述光散射层中形成多个空隙；

在所述散射层上由平面化层材料形成平面化层，使得所述散射层的第一区域的表面暴露，其中一部分所述平面化层材料渗透到所述散射层的所述多个空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分；以及

移除所述散射层的所述第一区域。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述平面化层材料与所述基底的粘附力强于所述散射层材料与所述基底的粘附力。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述散射层的孔隙率大于所述平面化层的孔隙率。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述多个空隙的大小在10nm至70nm的范围内。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述多个空隙占所述散射层的体积的20％至50％。

14.如权利要求9所述的方法，其中形成所述平面化层包括通过湿法涂布将所述平面化层材料施加到所述散射层。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述散射层材料包含由金属氧化物形成的第一聚集体和由金属氧化物形成的第二聚集体，所述第一聚集体的比表面积小于所述第二聚集体的比表面积。

16.如权利要求9所述的方法，其中所述散射层材料包含由金属氧化物形成的第一聚集体和由金属氧化物形成的第二聚集体，所述第一聚集体具有与所述第二聚集体相同的化学组成和晶相以及不同的晶习。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述相同化学组成包括TiO₂，所述相同晶相包括金红石结晶相或锐钛矿结晶相，所述第一聚集体具有树枝状晶习，并且所述第二聚集体具有棒状晶习。