[发明专利]阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板中双层金属层的制造方法，包括：

在阵列基板上形成第一金属层图案；

在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；

在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；

在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；

通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层；

其中，在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物，包括：

形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以及光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域对应于所述过孔，所述光刻胶完全保留区域对应于需要完全保留所述下层金属层和上层金属层的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于需要完全去除所述下层金属层和上层金属层的区域；

去除未被光刻胶覆盖的区域的上层金属层和下层金属层，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案；

通过灰化工艺，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，减薄所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，在所述光刻胶半保留区域的光刻胶完全去除后，继续进行灰化工艺，使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用半色调掩模板，形成光刻胶图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过灰化工艺，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，减薄所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，包括：

在进行灰化工艺的设备中通入氧气作为工作气体对光刻胶进行灰化，以去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，减薄所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在灰化工艺中，氧气的流量为50～150sccm，对光刻胶进行灰化的时间为25～50秒，继续进行灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物的时间为10到30秒。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述下层金属层由具有扩散阻挡效果的金属制成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述下层金属层由Mo、MoNb以及Ti中的至少之一形成；

所述上层金属层由铜形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述下层金属层的厚度不小于所述上层金属层的厚度。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述光刻胶剥离液包括甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、异丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基二胺、羟胺中的一种或几种，所述光刻胶剥离液的溶剂为二甲基亚砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、环丁砜中的一种或几种。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，在进行灰化工艺形成所需的下层金属层和上层金属层的图案的同时，还形成所述阵列基板上薄膜晶体管的源极和漏极。

10.一种阵列基板，其中，所述阵列基板由根据权利要求1至9中任一项所述的方法制造而成。