[发明专利]阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板

说明书

本公开涉及一种阵列基板中双层金属层的制造方法及阵列基板，该方法包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。采用本申请的方案，可以克服由于金属氧化导致的搭接不良进而影响TFT工艺良率的问题。

技术领域

本公开涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板。

背景技术

常规应用于液晶显示(LCD)面板阵列基板中的金属导线为铝导线，而阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成阵列基板各元件的材料。随着TV等显示终端大尺寸化、高PPI(每英寸像素)以及驱动频率高速化的趋势及要求，面板开发商不得不面对阵列系统中电阻以及电阻/电容时间延迟及电迁移率低等问题。铝导线较高的电阻率(～4μΩ·cm)使得TFT(薄膜晶体管)像素在高频率下不能充分充电，而这种问题随高频寻址(≥120Hz)的广泛应用会更加明显。

铜导线相对于铝具有较低的电阻率(～2μΩ·cm)及良好的抗电迁移能力，吸引了诸多材料及制程工程师兴趣并进行了较为深入的开发。但在刻蚀制程中，经过等离子体刻蚀，铜金属层会生成氟化铜(CuFx)和氯化铜(CuClx)，在200℃以下为固体，不会气化，因此铜金属无法以干法刻蚀的方式制作出导线图案。因此，发展用于铜金属湿刻蚀的刻蚀液变地尤为重要。此外，铜在200℃以下通过互扩散易于与硅反应生成具有CuSi₃的化合物，产生很高的接触电阻，因此需要采用其他金属层进行过渡。目前较为常用的是采用难熔金属作为过渡的粘结层和阻挡层，例如Mo，Ti等。

在一些阵列基板的制作过程中，为了设计的需要，周边区域往往需要通过栅极绝缘层中的过孔将源/漏走线与底部栅线走线搭接，在使用两层金属(例如两层铜)制作源/漏走线的制程中，当钝化层(PVX)制作完成后，阵列基板的周边过孔区域往往会出现鼓包或者是顶层的Cu被氧化的现象(参见图1和图2)。这种氧化容易造成搭接不良，进而影响TFT工艺良率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板中双层金属层的制造方法及阵列基板，能够克服由于金属氧化导致的搭接不良进而影响TFT工艺良率的问题。

根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板中双层金属层的制造方法，包括：

在阵列基板上形成第一金属层图案；

在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；

在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；

在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；

通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。

根据本公开的另一方面，还提供了一种阵列基板，其中，所述阵列基板由前述方法制造而成。