[发明专利]基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统

说明书

本发明提供一种基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统。即使在不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本进行旋转式处理时的晶片的对位。本方法包括：由抗蚀剂涂敷装置实施EBR处理的旋转式处理步骤；由检查装置的拍摄装置对被实施了旋转处理的晶片进行拍摄的拍摄步骤；获取预先存储的、使晶片从抗蚀剂涂敷装置移动至检查装置期间晶片的方向发生变化的量的信息即变化量信息的变化量信息获取步骤；基于拍摄步骤的拍摄结果，获取沿晶片的周向的抗蚀剂膜的除去宽度的信息作为实施结果信息的结果信息获取步骤；和基于变化量信息和实施结果信息，修正EBR处理时的基片的位置的修正步骤。

技术领域

本发明涉及在具有旋转处理装置的基片处理系统中的、对旋转式处理时的基片的位置进行调整的基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统，其中，上述旋转处理装置是一边使基片旋转一边对该基片实施作为规定处理的旋转式处理的装置。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺中的光刻步骤中，例如依次进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的图案曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，由此，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。该一系列的处理由作为基片处理系统的涂敷显影处理系统进行，该涂敷显影处理系统搭载有处理晶片的各种处理装置、运送晶片的运送机构、载置用于收纳一系列的处理前的晶片和一系列的处理后的晶片的晶片盒的晶片盒载置台等。此外，在抗蚀剂涂敷处理中，使晶片绕与晶片表面正交的轴(以下，正交轴)旋转，并将抗蚀剂液涂敷在晶片表面，由此形成抗蚀剂膜。

另外，作为涂敷显影处理系统包括：具有进行周边曝光处理的周边曝光装置的处理系统(参照专利文献1)、所谓的具有进行大缺陷检查的检查装置的处理系统。周边曝光处理是在图案曝光处理前将抗蚀剂膜的周缘部有选择地曝光的处理，另外，大缺陷检查中，利用拍摄装置拍摄晶片的表面整体，基于拍摄结果判定晶片表面的缺陷的有无。

此外，在维持向周边曝光装置送入时的晶片的方向不变的状态下从周边曝光装置送出时，晶片的方向有时成为不适合后段的图案曝光处理的方向。因此，周边曝光装置具有调节从该周边曝光装置送出时的晶片的方向的送出时方向调节功能。使从周边曝光装置送出时的晶片的方向成为所期望的方向，不需要在图案曝光时的曝光装置中的晶片的方向调节，能够缩短在曝光装置中的处理时间。

并且，作为涂敷显影处理系统，将在曝光前进行除去晶片周缘部的抗蚀剂膜的EBR(Edge Bead Removal：边缘球状物去除)处理的功能设置在进行抗蚀剂涂敷处理的抗蚀剂涂敷装置(专利文献2参照)。在抗蚀剂涂敷装置中的EBR处理中，一边使晶片绕正交轴旋转，一边对晶片的周缘部供给抗蚀剂膜的溶剂，由此呈环状地除去晶片周缘部的抗蚀剂膜。

EBR处理中的抗蚀剂膜的除去宽度要求在沿晶片的周向上是一定的。在上述除去宽度不一定的情况下，晶片上的半导体器件的形成区域的抗蚀剂膜被除去，有时产生不良产品的半导体器件。如上所述，为了使EBR处理中的除去宽度一定，需要对EBR处理时的晶片进行对位，以使得晶片的中心与EBR处理时的晶片的旋转轴一致。

晶片的对位能够使用例如由上述的检查装置拍摄对位用的EBR处理后的晶片的结果。具体来讲，根据拍摄结果，检测沿着晶片的周向的EBR处理时的除去宽度，基于该检测结果，以使除去宽度成为一定的方式修正EBR处理时的晶片的位置，由此来进行对位。