[发明专利]单体双金属板封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201810769917.6 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108695171A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 梁志忠;刘恺;王亚琴 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214431 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 双金属板 封装 线路层 空腔 注塑孔 电性连接 空腔内部 制造成本 稳定度 注塑料 良率 塑封 填充 连通 模具 外围 芯片 节约 | ||
1.一种单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述方法包括:
S1、提供上金属板和下金属板;
S2、在上金属板的下表面上蚀刻形成至少一个凹槽,并在每一所述凹槽内壁上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;
在下金属板的上表面电镀线路层,并在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板;
S3、结合顶板和底板,以在所述线路层和第一EMI层之间形成空腔,并使所述第一EMI层与所述线路层导通,使所述芯片设置于所述空腔内;
S4、向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封;
S5、剥离所述上金属板和所述下金属板,以形成若干个单体双金属板封装结构。
2.根据权要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2还包括:
在所述凹槽的侧壁上开设注塑孔;
所述步骤S4具体包括:通过所述注塑孔向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封。
3.根据权要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2具体包括:在每一所述凹槽内壁去除注塑孔的位置上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;
所述步骤S5具体包括:剥离所述上金属板和所述下金属板,去除第一EMI层外部的注塑料,以形成若干个单体双金属板封装结构。
4.根据权要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2还包括:
M1、在上金属板的下表面贴覆或印刷光阻材料;
M2、通过曝光显影过程去除部分光阻材料以形成蚀刻区域,蚀刻所述蚀刻区域以形成凹槽;
M3、去除所述上金属板上剩余的光阻材料,在所述凹槽内壁上电镀第一EMI层以形成顶板。
5.根据权要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
沿注塑孔朝向凹槽内部的延伸方向上,所述注塑孔的开口尺寸保持不变或依次递减。
6.根据权要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2还包括:
N1、在下金属板的上表面贴覆或印刷光阻材料;
N2、通过曝光显影过程去除部分光阻材料以形成蚀刻区域,并在所述蚀刻区域电镀线路层;
N3、去除所述下金属板剩余的光阻材料;
N4、在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板。
7.根据权要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述凹槽侧壁的下端形成插接部,所述线路层上具有与插接部匹配的凹口,当插接部插入凹口时,第一EMI层与线路层相互导通。
8.根据权要求7所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
所述步骤S2具体包括:在每一所述凹槽内壁去除插接部的位置上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;
当插接部插入凹口时,第一EMI层在所述线路层的上方与所述线路层相互导通。
9.根据权要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片之前,所述方法还包括:在所述线路层远离所述下金属板的一侧印刷锡膏,以用于叠加芯片以及用于结合所述顶板和所述底板。
10.一种单体双金属板封装结构,其特征在于,所述单体双金属板封装结构包括:
线路层;
电性连接于所述线路层上方且与所述线路层形成空腔的至少一层第一EMI层;
开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔;
位于所述空腔内的芯片;
以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造