[发明专利]单体双金属板封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201810769917.6 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108695171A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 梁志忠;刘恺;王亚琴 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214431 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 双金属板 封装 线路层 空腔 注塑孔 电性连接 空腔内部 制造成本 稳定度 注塑料 良率 塑封 填充 连通 模具 外围 芯片 节约 | ||
本发明揭示了一种单体双金属板封装结构及封装方法,所述单体双金属板封装结构包括:线路层;电性连接于所述线路层上方且与所述线路层形成空腔的至少一层第一EMI层;开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔;位于所述空腔内的芯片;以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。本发明的单体双金属板封装结构及其封装方法,通过采用双金属板进行封装来实现EMI屏蔽,而且其无需使用传统具有型腔模具进行塑封,节约制造成本,通过该方法获得的封装结构,其良率及稳定度均得到大幅提升,且工艺简单。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,尤其涉及一种单体双金属板封装结构及封装方法。
背景技术
随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展,尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,使得集成电路封装也向微小化、高密度、高功率、高速度的方向发展。而随着电子部件变得更小、并且在工作频率更高,由于高频芯片在运输和传输是会产生很强的电磁波,往往会对封装内的其他芯片或者封装外的电子部件的造成不期望的干扰或噪声。加上电子部件的密度过高,电子部件之间的信号传输线路的距离越来越近,使得来自集成电路封装外部或内部的芯片之间的电磁干扰(Electro-MagneticInterference,EMI)情形也日益严重。同时也会降低集成电路封的电性品质和散热效能。
为解决电磁干扰问题,现有技术往往会在封装体外表面粘贴金属盖或是镀上金属层来屏蔽电磁波的发射和接收。然而通过粘贴金属盖来实现电磁屏蔽,其金属盖和封装体的结合性往往存在问题,由于金属盖的尺寸和封装体的尺寸很难完全匹配,金属盖与封装体外表面之间往往会存在空气残留,在电子部件工作升温时往往会造成其可靠性的问题;而通过镀金属层的方式来实现电磁屏蔽,其金属层的接地一般只能辅助导体和元器件来实现接地,其工艺比较复杂,成本较高。
所以,如何克服现有技术的种种问题,更方便的提供一种可避免电磁干扰的封装结构和封装工艺,成为业界迫切解决的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决上述技术问题的单体双金属板封装结构及封装方法。
为了实现上述发明目的之一,本发明一实施方式提供一种单体双金属板封装结构的封装方法,所述方法包括:S1、提供上金属板和下金属板;
S2、在上金属板的下表面上蚀刻形成至少一个凹槽,并在每一所述凹槽内壁上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;
在下金属板的上表面电镀线路层,并在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板;
S3、结合顶板和底板,以在所述线路层和第一EMI层之间形成空腔,并使所述第一EMI层与所述线路层导通,使所述芯片设置于所述空腔内;
S4、向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封;
S5、剥离所述上金属板和所述下金属板,以形成若干个单体双金属板封装结构。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述步骤S2还包括:
在所述凹槽的侧壁上开设注塑孔;
所述步骤S4具体包括:通过所述注塑孔向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述步骤S2具体包括:在每一所述凹槽内壁去除注塑孔的位置上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;
所述步骤S5具体包括:剥离所述上金属板和所述下金属板,去除第一EMI层外部的注塑料,以形成若干个单体双金属板封装结构。
作为本发明一实施方式的进一步改进,所述步骤S2还包括:
M1、在上金属板的下表面贴覆或印刷光阻材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造