[发明专利]一种共源共栅级联结构的氮化镓器件

权利要求书

1.一种共源共栅级联结构的氮化镓器件，其特征在于，包括：基板本体(1)，基板本体(1)的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层(4)，所述器件线路铜层包括第一铜层面(2)和第二铜层面(3)，所述第一铜层面(2)和第二铜层面(3)之间电气隔离；所述热排气铜层(4)上设置有若干条延伸到基板边界的间隙；

还包括：硅器件和GaN器件，所述GaN器件和硅器件分别通过焊料焊接在所述第一铜层面(2)上，所述GaN器件和硅器件相邻不相接，所述GaN器件的Source端与第一铜层面(2)连线进而与硅器件的Drain端相连，形成共源共栅级联结构的氮化镓器件的导通回路；所述GaN器件的Gate端与硅器件的Source端连线，形成共源共栅级联结构的氮化镓器件的驱动回路；GaN器件的Drain端、硅器件的Gate端直接向封装基板的一侧引出，作为共源共栅级联结构的氮化镓器件的Drain和Gate管脚，硅器件的Source端与第二铜层面(3)连线，第二铜层面(3)向封装基板的同一侧引出，作为共源共栅级联结构的氮化镓器件的Source管脚。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述第一铜层面(2)和第二铜层面(3)均为矩形结构，第一铜层面(2)和第二铜层面(3)间隔设置从而形成电气隔离。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述基板本体(1)由氮化铝陶瓷制成。

4.根据权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述器件线路铜层上设置有镍钯金层。

5.根据权利要求4所述的氮化镓器件，其特征在于，所述基板本体(1)厚度范围0.5～0.55mm，所述器件线路铜层和热排气铜层(4)厚度大于30μm。

6.根据权利要求5所述的氮化镓器件，其特征在于，所述基板本体1为矩形结构，第一铜层面(2)和第二铜层面(3)之间间隔1mm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述GaN器件选用GaN HEMT器件(5)，所述硅器件选用Si VDMOS器件(6)；所述共源共栅级联结构的氮化镓器件的Gate、Drain和Source在封装基板的同一侧按Gate、Drain、Source顺序依次排布。