[发明专利]利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法

权利要求书

1.一种沉积材料的层于基板上的方法，所述方法包括：

在第一磁性组合件位置点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体，使得所述基板未暴露于所述等离子体；以及

在维持所述等离子体时，移动所述磁性组合件于第二磁性组合件位置中，其中所述第二磁性组合件位置致使所述材料沉积于所述基板上。

2.一种沉积材料的层于基板上的方法，所述方法包括：

当所述基板未暴露于等离子体时，点燃用于材料沉积的溅镀靶材的所述等离子体；

维持所述等离子体至少直到所述基板暴露于所述等离子体来沉积所述材料于所述基板上，其中所述暴露至少藉由移动所述基板至沉积面积中来提供；以及

在位于所述沉积面积中的所述基板上沉积所述材料，其中所述基板为了静态沉积工艺而定位。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，为了所述静态沉积工艺的所述基板的所述定位包括：在沉积期间的静态基板位置、在沉积期间的震动基板位置、在沉积期间实质固定的平均基板位置、在沉积期间的抖动基板位置、在沉积期间的摇晃基板位置、或这些位置的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板暴露前，所述等离子体维持直到量测值减少而低于预设阈值或增加而高于预设阈值。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基板暴露前，所述等离子体维持直到量测值减少而低于预设阈值或增加而高于预设阈值。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述基板暴露前，所述等离子体维持直到量测值减少而低于预设阈值或增加而高于预设阈值。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括：

导流工艺气体，使得所述材料的沉积为反应沉积工艺。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺以金属模式或转移模式进行。

9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，靶材材料选自由铝、硅、钽、钼、铌、钛、及铜所组成的群组。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述靶材材料选自由铝和硅所组成的群组。

11.如权利要求1或4至6中任一项所述的方法，还包括：当维持所述等离子体时，沿着相同于从所述第一位置向所述第二位置移动的方向移动所述磁性组合件至第三磁性组合件位置中，其中所述第三磁性组合件位置致使所述材料沉积于组件上，所述组件配置于所述沉积面积外。

12.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，在沉积之前，所述等离子体维持1秒或以上的时间区段，以使工艺稳定。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在沉积之前，所述等离子体维持5秒至10秒的时间区段，以使工艺稳定。

14.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述溅镀靶材为转动溅镀靶材。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述磁性组合件的移动藉由在所述转动溅镀靶材中的所述磁性组合件的转动来施行。

16.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述磁性组合件的移动藉由包括所述磁性组合件的阴极的转动来施行。

17.如权利要求1至6中任一项所述的方法，包括至少一对溅镀靶材，其中所述溅镀靶材为所述一对溅镀靶材中的至少一个靶材。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述一对溅镀靶材藉由在所述一对溅镀靶材间提供中频电压来进行操作，所述中频电压在0.5kHz至350kHz的范围内。