[发明专利]利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法

说明书

本发明涉及利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法，具体描述一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括当基板未暴露于等离子体时，点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体；维持等离子体至少直到基板暴露于等离子体来沉积材料于基板上；以及沉积材料于基板上，其中基板为了静态沉积工艺而定位。

本申请是申请日为“2012年6月1日”、申请号为“201280070347.2”、题为“利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法”的分案申请。

技术领域

本发明的实施例是有关于藉由从靶材来进行溅镀的层沉积。本发明的实施例特别是有关于在大面积基板上溅镀层，更特别是用于静态沉积工艺。实施例特别是有关于一种在基板上沉积材料的层的方法。

背景技术

在许多应用中，沉积薄层于基板上是需要的，例如是在玻璃基板上。一般来说，基板在镀膜设备的不同腔体内进行镀膜。基板通常利用气相沉积技术在真空中进行镀膜。

数种用于沉积材料于基板上的方法是已知的。举例来说，基板可藉由物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺或等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)工艺等来进行镀膜。一般来说，工艺是在将进行镀膜的基板所置放的工艺设备或工艺腔体中进行。沉积材料提供至设备中。数种材料以及其氧化物、氮化物或碳化物可用于沉积于基板上。镀膜材料可于多种应用中与多种技术领域中使用。举例来说，用于显示器的基板时常藉由物理气相沉积(PVD)工艺进行镀膜。更进一步的应用包括绝缘面板、有机电激发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、彩色滤光片或类似的结构。

对于PVD工艺来说，沉积材料可以固相的形式存在于靶材中。藉由利用高能量粒子轰击靶材，靶材材料的原子自靶材被轰出，靶材材料也就是将进行沉积的材料。靶材材料的原子沉积于将进行镀膜的基板上。于PVD工艺中，溅镀材料可藉由不同方式配置，溅镀材料也就是将沉积于基板上的材料。举例来说，靶材可藉由将进行沉积的材料制成或可具有背衬元素(backing element)，将进行沉积的材料固定在该背衬元素上。包括将进行沉积的材料的靶材被支撑或固定在沉积腔体内的预定位置中。在使用转动靶材的情况中，靶材连接于转动轴或连接组件，该连接组件连接该轴和该靶材。

一般来说，溅镀可以磁控溅镀(magnetron sputtering)的方式实施，其中磁性组被使用，以限制(confine)等离子体来改善溅镀情况。因此，等离子体限制亦可利用来调整将沉积于基板上的材料的粒子分布。为了在基板上得到所需的沉积层，需控制等离子体分布、等离子体特性及其它沉积参数。举例来说，具有所需层特性的均匀层是需要的。这对于大面积沉积来说是特别重要的，例如是用以在大面积基板上制造显示器。再者，对静态沉积工艺而言，均匀性与工艺稳定性可能特别难以达成，其中基板没有连续移动通过沉积区。因此，考虑到对大尺寸的光电装置及其它装置的制造的需求增加，工艺均匀性及/或稳定性需要进一步改善。

发明内容

根据上述的内容，提供了依照独立权利要求1或2的一种用于沉积材料的层于基板上的方法。更进一步的本发明的观点、优点及特性藉由从属权利要求、说明与所附的附图来更为清楚。

根据一个实施例，提供了一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括在第一磁性组合件位置点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体，使得基板未暴露于等离子体；以及在维持等离子体时，移动磁性组合件于第二磁性组合件位置中，其中第二磁性组合件位置致使材料沉积于基板上。