[发明专利]一种水基微电子剥离清洗组合剂有效
申请号: | 201810771473.X | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108962723B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 郑长勇;吴东升;陈杰 | 申请(专利权)人: | 安徽建筑大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G03F7/42 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微电子 剥离 清洗 组合 | ||
1. 一种水基微电子剥离清洗组合剂,包括去离子水、杜邦EKC剥离液、亚仕兰ACT940剥离液、STRIPPER N311剥离液、安集idealclean960清洗液、过氧化氢、过硫酸钠、极性溶剂、腐蚀抑制剂,其特征在于:
该组合剂各组分的重量份数为:去离子水75-85重量份、杜邦EKC剥离液8-12份、亚仕兰ACT940剥离液6-10重量份、STRIPPER N311剥离液2-6重量份、安集idealclean960清洗液3-6重量份、过氧化氢5-9重量份、过硫酸钠4-7重量份、极性溶剂5-10重量份、腐蚀抑制剂2-5重量份;
该组合剂去除金属刻蚀后产生聚合物的机理为:
亚仕兰ACT940剥离液、STRIPPER N311剥离液、安集idealclean960中羟胺与水结合产生碱性物质,碱性物质与聚合物鳌合将其从金属侧壁上剥离;碱性物质会对金属线侧壁产生微刻蚀;剥离下的聚合螯合物将溶于该组合剂里的极性溶剂;
亚仕兰ACT940剥离液和STRIPPER N311剥离液中的苯二酚与金属线剥离后,经安集idealclean960清洗液进行后续清洗;
过氧化氢、过硫酸钠、腐蚀抑制剂减少去离子水对金属产生的腐蚀作用;
该组合剂中氟化氢与聚合物反应,将聚合物从金属线上剥离;聚合物随后溶于极性溶剂中;
该组合剂的制备方法为:
步骤一、先在去离子水中加入过氧化氢、安集idealclean960清洗液,搅拌混合均匀;
步骤二、将溶液升温至35-40℃,依次加入亚仕兰ACT940剥离液,搅拌均匀30-50min;
步骤三、再将上述溶液放入冰水浴中,加入杜邦EKC剥离液、STRIPPER N311剥离液助洗剂,继续搅拌40-60min,分散为均匀的混合溶液;
步骤四、将上述溶液恢复到室温,加入极性溶剂、腐蚀抑制剂、过硫酸钠,继续搅拌60-90min,分散为均匀的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的一种水基微电子剥离清洗组合剂,其特征在于,所述极性溶剂包括含6-18个碳原子的液态脂肪烃,环烷烃如环己烷、环庚烷、环辛烷、环癸烷、十氢化萘中的任意一种或任意一种以上的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种水基微电子剥离清洗组合剂,其特征在于,所述腐蚀抑制剂为葡萄糖、甘露糖、阿拉伯糖、赤藓糖、果糖、半乳糖、核糖、脱氧核糖、木糖、甘露糖醇、木糖醇、山梨糖醇中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种水基微电子剥离清洗组合剂,其特征在于,所述过硫酸钠的制备方法包括以下步骤:
步骤S1、向浓度为200-400g/L的过氧化氢中加入硫酸钠,配成硫酸钠浓度为100-300g/L的溶液;
步骤S2、将上述溶液放入油浴锅中,温度保持在10-15℃;经200-500r/min 磁力搅拌30-45min,得到过饱和溶液;
步骤S3、将上述溶液通过抽滤后,放入真空干燥箱中,经50-80℃真空干燥5-10h,得到白色疏松状的过硫酸钠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造