[发明专利]一种水基微电子剥离清洗组合剂

说明书

本发明公开一种水基微电子剥离清洗组合剂，包括去离子水、杜邦EKC剥离液、亚仕兰ACT940剥离液、STRIPPER N311剥离液、安集idealclean960清洗液、过氧化氢、过硫酸钠、极性溶剂、腐蚀抑制剂，该组合剂各组分的重量份数为：去离子水75‑85重量份、杜邦EKC剥离液8‑12份、亚仕兰ACT940剥离液6‑10重量份、STRIPPER N311剥离液2‑6重量份、安集idealclean960清洗液3‑6重量份、过氧化氢5‑9重量份、过硫酸钠4‑7重量份、极性溶剂5‑10重量份、腐蚀抑制剂2‑5重量份。本发明具有操作温度低，有效剥离，不会对基底造成腐蚀，可用水直接漂洗，安全环保，降低清洗成本的特点。

技术领域

本发明涉及一种水基微电子剥离清洗组合剂，尤其是一种具有操作温度低，有效剥离，不会对基底造成腐蚀，可用水直接漂洗，安全环保，降低清洗成本的水基微电子剥离清洗组合剂。

背景技术

在Al或Al(Cu)金属化基底的后段(back-endofline)微电子元器件制备过程中，一个必不可少的步骤就是在晶片基底上沉积光刻胶薄膜，然后以光刻胶作为掩膜(Mask)形成电路图案，经过烘烤、显影之后，然后经由反应性等离子体蚀刻气体将所得到的图案转移至底层基底材料(电解质或金属层)。蚀刻气体会选择性的蚀刻基底未被光刻胶保护的区域，而经由蚀刻所形成的结构主要有金属线(metalline)、结合垫(pad)和通孔(via)。蚀刻气体通常为含有卤素的气体，在等离子体蚀刻过程中，由于等离子体气体，蚀刻基底材料和光刻胶的相互作用，会在蚀刻基底的侧壁或周围形成蚀刻残余物，同时也会造成光刻胶掩膜材料的交联，进而更加难以去除。

在蚀刻过程完成之后，光刻胶掩膜以及蚀刻后的残余物必须从晶片上除去，以便进行下一步的操作。可以通过化学剥离溶液或者通过氧等离子灰化法(ash)除去大部分光刻胶。上述蚀刻后的残余物通常含有高难溶性的金属残渣，常见的化学剥离溶剂难以清除。同时，在灰化过程中，上述的金属残渣会进一步被氧化，使其更加难以清除。因此需要一种清洗液能够去除在蚀刻过程中产生在各种基底上的残余物，该清洗液同时又不能腐蚀这些基底材料如铝、铝/硅/铜、钛、氮化钛、钛/钨、钨、氧化硅、多晶硅等。该清洗液同时还能去除未灰化的光刻胶残余物。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有操作温度低，有效剥离，不会对基底造成腐蚀，可用水直接漂洗，安全环保，降低清洗成本的水基微电子剥离清洗组合剂。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种水基微电子剥离清洗组合剂，其特征在于，包括去离子水、杜邦EKC剥离液、亚仕兰ACT940剥离液、STRIPPER N311剥离液、安集idealclean960清洗液、过氧化氢、过硫酸钠、极性溶剂、腐蚀抑制剂，该组合剂各组分的重量份数为：去离子水75-85重量份、杜邦EKC剥离液8-12份、亚仕兰ACT940剥离液6-10重量份、STRIPPER N311剥离液2-6重量份、安集idealclean960清洗液3-6重量份、过氧化氢5-9重量份、过硫酸钠4-7重量份、极性溶剂5-10重量份、腐蚀抑制剂2-5重量份；

所述清洗剂的制备方法为：

步骤一、先在去离子水中加入过氧化氢、安集idealclean960清洗液，搅拌混合均匀；

步骤二、将溶液升温至35-40℃，依次加入亚仕兰ACT940剥离液，搅拌均匀30-50min；

步骤三、再将上述溶液放入冰水浴中，加入杜邦EKC剥离液、STRIPPER N311剥离液助洗剂，继续搅拌40-60min，分散为均匀的混合溶液；

步骤四、将上述溶液恢复到室温，加入极性溶剂、腐蚀抑制剂、过硫酸钠，继续搅拌60-90min，分散为均匀的混合溶液；

所述极性溶剂包括含6-18个碳原子的液态脂肪烃，环烷烃如环己烷、环庚烷、环辛烷、环癸烷、十氢化萘中的任意一种或任意一种以上的混合物；