[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：确定第一寄存器的第一数据；其中所述第一寄存器用于存储对待检测存储单元进行写操作时的结果数据；若所述第一数据为第一状态，对待检测存储单元对应的位线BL进行放电操作。本发明实施例中，首先确定第一寄存器中的第一数据，若第一数据为第一状态，则说明是不需要进行编程的数据，此时若保持BL的电压，则会持续为第一待检测单元提供电流，造成无用的功耗，因此本发明实施例若第一数据为第一状态，对第一待检测单元对应的位线BL进行放电操作，使得BL不为待检测存储单元提供电流，从而有效减少了功耗。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，NAND存储器通过对cell进行读写擦除操作来存储数据。

现有技术中，对非易失存储器通常会设置检测单元对存储单元进行写操作，写数据(Program，PGM)之前所有cell均会被擦除，擦除之后cell中为数据“1”，然后进行多次的PGM+PV(Program Verify，编程验证)的循环，最终把用户输入的数据“0”写入到cell中。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：现有的检测单元在对存储单元进行写操作时，功耗较大，尤其是大容量的NAND存储器，功耗非常大，严重限制了大容量NAND存储器在低功耗环境下的应用。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器处理方法及装置，以降低检测单元在对存储单元进行写操作时的功耗。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器处理方法，所述方法包括：

确定第一寄存器的第一数据；其中所述第一寄存器用于存储对待检测存储单元进行写操作时的结果数据；

若所述第一数据为第一状态，对待检测存储单元对应的位线BL进行放电操作。

优选地，所述方法还包括：

若所述第一数据为第二状态，对待检测存储单元对应的位线BL进行充电操作。

通过总线BUS将第二寄存器中的数据复制到第一寄存器；所述第二寄存器用于存储用户输入的数据或编程验证后的结果数据；

对总线BUS充电。

建立所述BUS与所述待检测存储单元之间的电流回路；

若所述BUS的电压维持在高电平，对所述待检测存储单元进行编程验证操作；

若所述BUS的电压值减小，将所述BUS放电为0。

若所述BUS的电压为高电平，将BUS的电平状态写入所述第一寄存器中，使得第一寄存器中存储第二数据；

将所述第二数据通过或运算存储在所述第二寄存器中。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器处理装置，所述装置包括：

第一数据确定模块，用于确定第一寄存器的第一数据；其中所述第一寄存器用于存储对待检测存储单元进行写操作时的结果数据；

第一放电模块，用于若所述第一数据为第一状态，对待检测存储单元对应的位线BL进行放电操作。

优选地，所述装置还包括：

第一充电模块，用于若所述第一数据为第二状态，对待检测存储单元对应的位线BL进行充电操作。