[发明专利]一种非易失存储器检测电路及检测方法

权利要求书

1.一种非易失存储器检测电路，其特征在于，所述电路包括：

补偿电路、充电电路、比较电路、存储单元选择电路；

所述补偿电路与所述充电电路连接，用于补偿所述非易失存储器检测电路的阈值偏差；

所述充电电路与所述存储单元选择电路连接，用于在初始时，对所述存储单元选择电路进行充电；

所述充电电路与所述比较电路连接，用于当所述存储单元选择电路充电稳定后，对所述比较电路进行充电，且，当所述比较电路充电稳定后，结束对所述比较电路和所述存储单元选择电路的充电；

所述存储单元选择电路通过所述充电电路，与所述比较电路构成电流回路，以使所述比较电路根据所述电流回路输出高电平或低电平；

所述比较电路的输出端作为所述非易失存储器检测电路的输出端；

所述充电电路包括：

NMOS晶体管M1、M2、M3、第一电源VDD；

所述M1的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M1的源极与所述M3的漏极连接，以作为所述充电电路与所述比较电路的连接端，为所述比较电路充电；

所述M2的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M2的源极与所述M3的源极连接，以作为所述充电电路与所述存储单元选择电路的连接端，为所述存储单元选择电路充电。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述补偿电路包括：

NMOS晶体管M5，第二电源VCC，第三电源模块VPRE；

所述M5的栅极、所述M5的漏极、所述M1的栅极与所述第二电源VCC连接；

所述M5的源极与所述第三电源模块VPRE连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述补偿电路还包括：

NMOS晶体管M6；所述M6的栅极、所述M5的漏极与所述第三电源模块VPRE连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述比较电路包括：

比较器，所述比较器的第一输入端设置有比较电压VTH，所述比较器的第二输入端与所述M1的源极连接，以接收所述充电电路的充电电压；

所述比较器的第二输入端与所述M3的漏极连接，以通过所述M3与所述存储单元选择电路构成电流回路；

电容C，所述电容C的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述电容C的第二端接地。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述存储单元选择电路包括：

NMOS晶体管M4、存储单元确定模块；

所述M4的漏极与所述M3的源极连接；

所述M4的源极与所述存储单元确定模块的输出端连接。

6.一种非易失存储器检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1至4任一所述的非易失存储器检测电路中，所述方法包括：

在所述存储单元选择电路中确定待检测存储单元；

通过所述充电电路对所述存储单元选择电路充电；

当所述存储单元选择电路充电稳定后，通过所述充电电路对所述比较电路的第二输入端充电；其中，所述比较电路的第一输入端设置有比较电压VTH；

当所述比较电路的第二输入端充电稳定后，结束对所述存储单元选择电路和所述比较电路的充电，且，通过控制所述充电电路使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路；

根据所述电流回路确定所述待检测存储单元的数据状态。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：NMOS晶体管M2；

所述通过所述充电电路对所述存储单元选择电路充电的步骤包括：

控制所述充电电路的M2导通，对所述存储单元选择电路充电。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：NMOS晶体管M1；

所述当所述存储单元选择电路充电稳定后，通过所述充电电路对所述比较电路的第二输入端充电的步骤包括：

当所述存储单元选择电路充电稳定后，控制所述充电电路的M1导通，对所述比较电路的第二输入端充电。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：NMOS晶体管M3；

所述通过控制所述充电电路使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路的步骤包括：

控制所述充电电路的M3导通，使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路。