[发明专利]一种非易失存储器检测电路及检测方法

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器检测电路及检测方法，该电路包括：补偿电路与充电电路连接，用于补偿非易失存储器检测电路的阈值偏差；充电电路与存储单元选择电路连接，用于在初始时，对存储单元选择电路进行充电；充电电路与比较电路连接，用于当存储单元选择电路充电稳定后，对比较电路进行充电，且，当比较电路充电稳定后，结束对比较电路和存储单元选择电路的充电；存储单元选择电路通过充电电路，与比较电路构成电流回路，以使比较电路根据电流回路输出高电平或低电平。本发明实施例通过补偿电路可以补偿检测电路的部分阈值偏差，使得检测电路能精确的检测出非易失存储器中各存储单元的数据状态。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器检测电路及检测方法。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例， NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，存储单元可以是负阈值存储单元，即导通阈值电压是负值的存储单元；也可以是正阈值存储单元，即导通阈值电压是正值的存储单元；根据存储单元工作时的导通电流，可以读取存储单元的数据状态，例如擦除状态、编程状态等。

现有技术的非易失存储器检测电路中，晶体管的阈值电压会随着集成电路工艺、工作电压或工作温度环境等的变化而变化，导致通过晶体管中的电流不稳定，使得检测电路不能精确的检测出非易失存储器中各存储单元的数据状态。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器检测电路及检测方法，以提高对存储单元数据检测的准确度。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器检测电路，所述方法包括：

补偿电路、充电电路、比较电路、存储单元选择电路；

所述补偿电路与所述充电电路连接，用于补偿所述非易失存储器检测电路的阈值偏差；

所述充电电路与所述存储单元选择电路连接，用于在初始时，对所述存储单元选择电路进行充电；

所述充电电路与所述比较电路连接，用于当所述存储单元选择电路充电稳定后，对所述比较电路进行充电，且，当所述比较电路充电稳定后，结束对所述比较电路和所述存储单元选择电路的充电；

所述存储单元选择电路通过所述充电电路，与所述比较电路构成电流回路，以使所述比较电路根据所述电流回路输出高电平或低电平；

所述比较电路的输出端作为所述非易失存储器检测电路的输出端。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器处理检测方法，应用于上述的非易失存储器检测电路中，所述检测方法包括：

在所述存储单元选择电路中确定待检测存储单元；

通过所述充电电路对所述存储单元选择电路充电；

当所述存储单元选择电路充电稳定后，通过所述充电电路对所述比较电路的第二输入端充电；其中，所述比较电路的第一输入端设置有比较电压 VTH；

当所述比较电路的第二输入端充电稳定后，结束对所述存储单元选择电路和所述比较电路的充电，且，通过控制所述充电电路使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路；

根据所述电流回路确定所述待检测存储单元的数据状态。

本发明实施例中，设置了补偿电路，通过补偿电路可以补偿检测电路的部分阈值偏差，使得非易失存储器检测电路在进行存储单元检测时，减少因为充电电路的晶体管阈值偏差带来电流不稳定，使得检测电路能精确的检测出非易失存储器中各存储单元的数据状态。