[发明专利]一种显示面板及其封装方法、OLED装置在审
申请号: | 201810775886.5 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108899350A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 张跳梅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 无机介质层 缓冲层图案 图案 有机平坦层 缓冲区块 显示装置 基底 区块 封装 显示面板边缘 缓冲层 水氧 延伸 覆盖 | ||
1.一种显示面板,包括基底,其特征在于,还包括:
设置在所述基底上的无机缓冲层图案;所述无机缓冲层图案包括多个缓冲区块,相邻两个所述缓冲区块之间存在第一间隙;
设置在所述无机缓冲层图案上的无机介质层图案;所述无机介质层图案包括多个介质区块,相邻两个所述介质区块之间存在第二间隙;
设置在所述无机介质层图案上的第一有机平坦层,所述第一有机平坦层覆盖所述无机介质层图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机缓冲层图案与所述无机介质层图案在所述基底上的正投影重合;
所述第一有机平坦层填充所述第一间隙和所述第二间隙。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括设置在所述无机缓冲层图案与所述无机介质层图案之间的第二有机平坦层;
所述第二有机平坦层覆盖所述无机缓冲层图案、且填充所述第一间隙;
所述第一有机平坦层填充所述第二间隙。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机缓冲层图案和所述无机介质层图案在所述基底上的正投影覆盖所述基底。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机介质层图案的制作材料为栅极金属材料。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机平坦层的制作材料与所述第一有机平坦层的制作材料相同。
7.一种显示面板的封装方法,其特征在于,所述显示面板包括基底;所述封装方法包括:
在所述基底上形成无机缓冲层图案和无机介质层图案;所述无机缓冲层图案包括多个缓冲区块,相邻两个所述缓冲区块之间存在第一间隙;所述无机介质层图案包括多个介质区块,相邻两个所述介质区块之间存在第二间隙;
形成覆盖所述无机介质层图案的第一有机平坦层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的封装方法,其特征在于,所述在所述基底上形成无机缓冲层图案和无机介质层图案具体包括:
在所述基底上形成无机缓冲层;
在所述无机缓冲层上形成无机介质层;
在所述无机介质层上涂覆光刻胶,经过曝光、显影和刻蚀,形成所述无机缓冲层图案和所述无机介质层图案;
去除所述无机介质层图案上的光刻胶。
9.根据权利要求7所述的显示面板的封装方法,其特征在于,所述显示面板还包括设置在所述无机缓冲层图案与所述无机介质层图案之间的第二有机平坦层;
所述在所述基底上形成无机缓冲层图案和无机介质层图案具体包括:
在所述基底上形成无机缓冲层;
在所述无机缓冲层上涂覆光刻胶,经过曝光、显影和刻蚀,形成所述无机缓冲层图案;
去除所述无机缓冲层图案上的光刻胶;
形成覆盖所述无机缓冲层图案的所述第二有机平坦层;
在所述第二有机平坦层上形成无机介质层;
在所述无机介质层上涂覆光刻胶,经过曝光、显影和刻蚀,形成所述无机介质层图案;
去除所述无机介质层图案上的光刻胶。
10.一种OLED装置,其特征在于,包括权利要求1至6中任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的