[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅电极，沿着垂直方向堆叠在衬底上；

垂直沟道结构，穿透所述栅电极以电连接到所述衬底；

导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及

接触插塞，电连接到所述导电衬垫中的相应导电衬垫；

其中所述导电衬垫中的每个包括延伸区和在所述接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，

其中所述栅电极包括第一栅电极和位于所述第一栅电极之上的第二栅电极，所述第一栅电极是所述栅电极中的最下面的栅电极，

自所述第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于所述第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及

自所述第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于所述第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一延伸区具有与所述第一栅电极的厚度相同的厚度，以及

所述第二延伸区具有与所述第二栅电极的厚度相同的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触区的上表面与所述第一延伸区的上表面共面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触区的上表面位于比所述第二延伸区的上表面更高的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电衬垫的水平长度大于所述第二导电衬垫的水平长度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一延伸区的水平长度大于所述第二延伸区的水平长度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触区包括基部和从所述基部垂直地突出的突出部。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述基部的外侧表面比所述突出部的外侧表面更多地水平突出。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述突出部的外侧表面与所述基部的外侧表面垂直地对准。

10.一种半导体器件，包括：

栅电极，沿着垂直方向堆叠在衬底上；

垂直沟道结构，穿透所述栅电极以电连接到所述衬底；

导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及

接触插塞，电连接到所述导电衬垫中的相应导电衬垫；

其中所述导电衬垫中的每个包括延伸区和在所述接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，

其中所述栅电极包括第一栅电极和在所述第一栅电极之上的第二栅电极，所述第一栅电极是所述栅电极中的最下面的栅电极，

自所述第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其上表面与所述第一导电衬垫的第一延伸区的上表面共面的第一接触区，以及

自所述第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其上表面位于比所述第二导电衬垫的第二延伸区的上表面更高的高度的第二接触区。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一延伸区具有与所述第一栅电极的厚度相同的厚度，以及

所述第二延伸区具有与所述第二栅电极的厚度相同的厚度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二接触区包括基部和从所述基部垂直地突出的突出部。