[发明专利]像素驱动电路感测方法及像素驱动电路有效

专利信息
申请号: 201810779372.7 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN108877611B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 金羽锋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G09G3/3233;G09G3/3266
代理公司: 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电位 像素驱动电路 感测 公共电压 写入 感测线 时长 充电阶段 过驱动 充电
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路感测方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1、提供一像素驱动电路;所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)、有机发光二极管(D1)、开关(K1)、感测线(10)、感测模块(20)、数据线(Data)、扫描线(WR)及感测控制线(RD);

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(WR),源极电性连接数据线(Data),漏极电性连接第一节点(G);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(G),漏极接入电源正电压(VDD),源极电性连接第二节点(S);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接感测控制线(RD),源极电性连接第二节点(S),漏极电性连接感测线(10);所述电容(C1)的第一端及第二端分别电性连接第一节点(G)及第二节点(S);所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S),阴极接入电源负电压(VSS);所述开关(K1)为单刀双掷开关,其动触点(1)电性连接感测线(10),第一静触点(2)接入公共电压(Vcm),第二静触点(3)电性连接感测模块(20);

步骤S2、进入初始阶段(t1);

扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通,感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通,开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通,数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G),公共电压(Vcm)为一第一电位写入感测线(10)及第二节点(S);所述参考电位大于第一电位;

步骤S3、进入充电阶段(t2);

扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通,感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通,开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)及第二静触点(3)均断开,数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G),电源正电压(VDD)为第二节点(S)及感测线(10)进行充电,使第二节点(S)及感测线(10)上的电压不断上升直至第二节点(S)及感测线(10)的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管(T2)阈值电压的差值;

步骤S4、进入感测阶段(t3);

扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)截止,感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)截止,开关(K1)将其动触点(1)与第二静触点(3)导通,感测模块(20)对感测线(10)上的电压进行感测;

步骤S5、进入重新写入阶段(t4);

扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通,感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通,开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通,数据线(Data)将显示电位写入第一节点(G),公共电压(Vcm)先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线(10)及第二节点(S),将感测线(10)及第二节点(S)的电位下拉至第一电位;所述第二电位小于第一电位;

所述步骤S5中,所述公共电压(Vcm)由第二电位切换为第一电位的具体方式为:所述公共电压(Vcm)先由第二电位依次切换为多个中间电位,而后由最后一个中间电位切换为第一电位;多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位,偶数位的中间电位小于第一电位,多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小,且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法,其特征在于,所述像素驱动电路还包括与开关(K1)的第一静触点(2)电性连接的电压调制模块(30);所述公共电压(Vcm)由所述电压调制模块(30)提供。

3.如权利要求2所述的像素驱动电路感测方法,其特征在于,所述电压调制模块(30)改变公共电压(Vcm)的电位时,任意两个相邻的公共电压(Vcm)电位变化时刻之间的时间间隔为纳秒级别。

4.如权利要求2所述的像素驱动电路感测方法,其特征在于,所述像素驱动电路还包括电路板(40),所述电压调制模块(30)设于所述电路板(40)上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810779372.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top