[发明专利]像素驱动电路感测方法及像素驱动电路

说明书

本发明提供一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。该像素驱动电路感测方法在重新写入阶段中使公共电压先为一低于第一电位的第二电位而后切换为第一电位并写入第二节点，在公共电压为第二电位时感测线上的电压会由于过驱动充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压切换至第一电位对感测线进行正确的电位写入，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最具有发展潜力的显示装置。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光能效高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。同时，由于OLED显示装置的工艺和材料特性，显示时会出现显示不良(Mura)，需要通过电学的方式实时对其感测以便于进行补偿。

请参阅图1，为现有的一种像素驱动电路的电路图，该像素驱动电路包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、电容C10、有机发光二极管D10、开关K10、感测线100、模数转换器ADC、扫描线WR、数据线DATA及感测控制线RD。所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描线WR，以接收扫描信号，源极电性连接数据线DATA，以接收数据信号，漏极电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极。所述第二薄膜晶体管T20的漏极接入电源正电压VDD，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极。所述第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接感测控制线RD，以接收感测信号，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极，漏极电性连接感测线100。所述电容C10的第一端电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，第二端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。有机发光二极管D10的阴极接入电源负电压VSS。开关K10为单刀双掷开关，其动触点4电性连接感测线100，第一静触点5接入公共电压VCM，第二静触点6电性连接模数转换器ADC。该像素驱动电路的工作过程包括显示阶段及帧消隐(Blank)阶段，在显示阶段，扫描线WR传输具有高电平脉冲的扫描信号，控制第一薄膜晶体管T10导通后截止，数据线DATA将显示电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，驱动有机发光二极管D10发光。请参阅图2，消隐阶段包括初始阶段t10、充电阶段t20、感测阶段t30及重新写入阶段t40。在初始阶段t10，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K10将其动触点4与第一静触点5导通，数据线DATA将参考电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，公共电压VCM写入第二薄膜晶体管T20的源极，该参考电位大于公共电压VCM。在充电阶段t20，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K1将其动触点4与第一静触点5及第二静触点6均断开，此时第二薄膜晶体管T20的源极电压也即感测线100上的电压不断上升直至第二薄膜晶体管T20的源极电压以及感测线100上的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管T20阈值电压的差值。在感测阶段t30，扫描线WR传输低电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10截止，感测控制线RD传输低电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30截止，开关K1将其动触点4与第二静触点6导通，模数转换器ADC对感测线100上的电压进行感测并产生对应的数据后锁存。在重新写入阶段t40，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K1将其动触点4与第一静触点5导通，数据线DATA将显示电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，公共电压VCM写入感测线100，而此时由于感测线100上的电位相对于公共电压VCM已经抬升，公共电压VCM写入感测线100会需要较长时间将感测线100放电，使得重新写入阶段t40的时长较长，现有的OLED显示装置中帧消隐阶段的总时长很短(对于4K显示装置而言，帧消隐阶段的总时长为0.68ms)，初始阶段t10的时长由于已经很短无法进行压缩，而感测阶段t30的时长受限于模数转换器ADC的特性也无法改变，重新写入阶段t40的时长增加使得充电阶段t20的时长被严重压缩，导致感测线100充电不充分，感测结果不准确。