[发明专利]配线用基板的制造方法有效
| 申请号： | 201810781747.3 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN108738249B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 本多正二郎;春木阳介;清川肇 | 申请（专利权）人： | 清川镀金工业株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配线用基板 制造 方法 | ||
1.一种配线用基板的制造方法，其为使用具有贯通孔的绝缘基板来制造配线用基板的方法，其特征在于，按照种子层的突出部形成于绝缘基板的贯通孔的内面的方式在绝缘基板的一个表面上形成由金属构成的、具有与绝缘基板的贯通孔连通的贯通孔和突出部的种子层，用掩蔽膜对所形成的种子层进行被覆，在具有贯通孔并且在绝缘基板的贯通孔内具有突出部的种子层被掩蔽膜被覆的状态下，按照绝缘基板的形成有种子层的面的相反面与阳极对置的方式来配设绝缘基板和阳极并实施电镀，在绝缘基板的贯通孔内形成金属层，之后将掩蔽膜除去。
2.如权利要求1所述的配线用基板的制造方法，其中，贯通孔的内面的种子层的突出部的长度为10nm～50μm，种子层的突出部的厚度为3nm～300nm。
3.如权利要求1或2所述的配线用基板的制造方法，其中，使用硅基板作为绝缘基板，种子层为从硅基板侧依次层积钛层和铜层而成的种子层、从硅基板侧依次层积钛层和铬层而成的种子层、由钴-钨-磷(Co-W-P)构成的种子层、由镍-钨-磷(Ni-W-P)构成的种子层、或由钯-钴-磷(Pd-Co-P)构成的种子层。
4.一种配线用基板的制造方法，其中，使用由权利要求1所述的配线用基板的制造方法得到的配线用基板，将具有用于在绝缘基板的金属层的表面形成电极的图案的抗蚀层放置于绝缘基板的种子层上，通过电镀在金属层的表面形成电极后，将抗蚀层除去。
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