[发明专利]一种高度取向沸石膜的制备方法

权利要求书

1.一种高度取向沸石膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.前处理：对载体表面进行打磨处理，然后对所述载体进行高温焙烧；

S2.引入修饰层：配制树脂溶液，将前处理后的载体浸渍到所述树脂溶液中，取出干燥，获得具有修饰层的载体；所述的修饰层由耐热、耐水性树脂组成，所述树脂为聚偏氟乙烯、磺化聚苯醚，聚四氟乙烯和聚醚砜中至少一种；所述修饰层的厚度为0.2-0.5μm；

S3.引入晶种层：配制晶种液，利用电泳的方法在具有修饰层的载体上引入b取向晶种层；所述晶种为纯硅沸石晶粒；所述晶种液的质量浓度为1.0～5.0％；

S4.水热合成沸石膜：配制晶化合成液，所述晶化合成液至少包括硅源、模板剂和去离子水，所述晶化合成液中水与二氧化硅的摩尔比大于300，将所述晶化合成液与所述引入晶种层的载体置于反应釜中并进行微波处理；所述晶化合成液中水与二氧化硅的摩尔比为400～1200，所述微波处理的温度为80～120℃，时间为30～120min，所述硅源为正硅酸乙酯；

S5.高温焙烧以脱出模板剂并去除修饰层。

2.根据权利要求1所述的高度取向沸石膜的制备方法，其特征在于，所述载体的平均孔径为50-500nm，孔隙率为45％-70％。

3.根据权利要求1所述的高度取向沸石膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述树脂溶液的质量浓度为0.5～10％，浸渍时间为15～100s。

4.根据权利要求1所述的高度取向沸石膜的制备方法，其特征在于，在S5中，所述高温焙烧的温度为500～750℃。