[发明专利]图形优化方法及掩膜版制造方法有效
申请号: | 201810784635.3 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN110727172B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 倪昶 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形 优化 方法 掩膜版 制造 | ||
1.一种图形优化方法,其特征在于,包括:
提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形和第二图形中皆具有关键图形,所述第二图形的关键图形对应位于第一图形的关键图形之间;
对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整;以及
依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形,以提高曝光后所述第一图形和所述第二图形的图形精度。
2.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和所述第二图形呈长条状,所述第一图形和所述第二图形在长度方向并行排列。
3.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述关键图形为通孔图形。
4.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形包括两个关键图形,所述第二图形包括一个关键图形,所述第二图形的关键图形对应位于所述第一图形的两个关键图形之间。
5.如权利要求4所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形包括依次相连接的第一部分、第二部分及第三部分,所述第一部分与所述第二图形正对,所述第二部分及第三部分突出所述第二图形,所述关键图形位于所述第一部分和第三部分中;所述第二图形中所述关键图形及自所述关键图形沿第二图形长度方向向两侧延伸40nm~90nm的区域为关键部分。
6.如权利要求5所述的图形优化方法,其特征在于,对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整包括:
在所述第一图形和所述第二图形相背离的一侧进行图形添加;
在所述第三部分朝向所述第二图形的一侧进行图形添加;以及
在所述第二图形中朝向第一图形的一侧、除关键部分外进行图形移除。
7.如权利要求6所述的图形优化方法,其特征在于,依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形包括:
在第一图形添加的图形中移除一第一删减图形,且所述第一删减图形正对并远离所述第一部分和所述第二部分;以及
在第二图形添加的图形中移除一第二删减图形,且所述第二删减图形正对并远离所述关键部分。
8.如权利要求6所述的图形优化方法,其特征在于,在所述第一图形背离所述第二图形的一侧进行的图形添加中,对应第一部分和第二部分处添加第一矩形,对应第三部分处添加多个第二矩形,所述第二矩形自远离所述第一矩形而宽度渐窄,且最大宽度小于所述第一矩形的宽度。
9.如权利要求4所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形与所述第二图形相同,所述第二图形中所述关键图形及自所述关键图形沿第二图形长度方向向两侧延伸40nm~90nm的区域为关键部分。
10.如权利要求9所述的图形优化方法,其特征在于,对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整包括:
在所述第一图形和所述第二图形相背离的一侧进行图形添加;以及
在所述第二图形中朝向第一图形的一侧、除关键部分外进行图形移除。
11.如权利要求10所述的图形优化方法,其特征在于,依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形包括:
在第一图形添加的图形中移除一第一删减图形,且所述第一删减图形正对并远离所述第一图形;以及
在第二图形添加的图形中移除一第二删减图形,且所述第二删减图形正对并远离所述关键部分。
12.如权利要求7或11所述的图形优化方法,其特征在于,记所述第一删减图形和所述第二删减图形的宽度为D,第二图形经过图形添加后的宽度为W,第一图形和第二图形之间的间距为S,则D与W-S成正比。
13.一种掩膜版制造方法,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的图形优化方法。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备