[发明专利]图形优化方法及掩膜版制造方法

说明书

本发明揭示了一种图形优化方法，所述图形优化方法包括：提供待优化图形，所述待优化图形包括第一图形和第二图形，所述待优化图形具有热区域；对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整；依据所述热区域对所述选择性尺寸调整进行反馈操作；以及依据所述反馈操作获得优化后的图形。于是，在进行选择性尺寸调整后，进一步对该选择性尺寸调整进行反馈操作，使得选择性尺寸调整对实际图形的影响更合理，有助于提高具有热区域的图形的精度。由此进行的掩膜版制造，可以提高掩膜版的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形优化方法及掩膜版制造方法。

背景技术

光刻工艺是半导体制造加工过程中的重要环节之一，其主要过程是借助于精密仪器将制备在掩膜版(亦称为光罩)上的图形经一定倍率后放大至基底上，从而实现电路器件的制备。

由于光刻过程中涉及图形尺寸很小，相邻图形之间受光学效应影响的可能性较大，例如一些图形中还具有关键图形的情况，很容易造成相邻图形尤其是关键图形处的实际间距较小。

因此，如何使得掩膜版图形尤其是具有关键图形的图形更为精确，是业界一直在关注和攻坚的难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图形优化方法及掩膜版制造方法，改善具有关键图形的图形的精度，提高掩膜版的质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图形优化方法，包括：

提供待优化图形，所述待优化图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形中皆具有关键图形，所述第二图形的关键图形对应位于第一图形的关键图形之间；

对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整；以及

依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形，以提高曝光后所述第一图形和所述第二图形的图形精度。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形和所述第二图形呈长条状，所述第一图形和所述第二图形在长度方向并行排列。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述关键图形为通孔图形。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形包括两个关键图形，所述第二图形包括一个关键图形，所述第二图形的关键图形对应位于所述第一图形的两个关键图形之间。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形包括依次相连接的第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分与所述第二图形正对，所述第二部分及第三部分突出所述第二图形，所述关键图形位于所述第一部分和第三部分中；所述第二图形中所述关键图形及自所述关键图形沿第二图形长度方向向两侧延伸40nm～90nm的区域为关键部分。

可选的，对于所述的图形优化方法，对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整包括：

在所述第一图形和所述第二图形相背离的一侧进行图形添加；

在所述第三部分朝向所述第二图形的一侧进行图形添加；以及

在所述第二图形中朝向第一图形的一侧、除关键部分外进行图形移除。

可选的，对于所述的图形优化方法，依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形包括：

在第一图形添加的图形中移除一第一删减图形，且所述第一删减图形正对并远离所述第一部分和所述第二部分；以及

在第二图形添加的图形中移除一第二删减图形，且所述第二删减图形正对并远离所述关键部分。