[发明专利]光学感测装置在审
| 申请号： | 201810785007.7 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729314A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 谢丞聿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体表面 半导体基底 沟槽隔离元件 光电二极管 光学感测装置 纹理表面 延伸 | ||
1.一种光学感测装置，其特征在于，包括：
半导体基底，具有相对的背半导体表面及前半导体表面，其中该背半导体表面具有纹理表面；
沟槽隔离元件，从该背半导体表面延伸至该前半导体表面；及
光电二极管，在该半导体基底中。
2.如权利要求1所述的光学感测装置，其中该纹理表面是具有纳米至微米尺寸表面的表面。
3.如权利要求1所述的光学感测装置，其中该背半导体表面具有透镜形状表面，该透镜形状表面具有该纹理表面。
4.如权利要求1所述的光学感测装置，包括像素，该像素是由该半导体基底被该沟槽隔离元件环绕的区域定义。
5.如权利要求1所述的光学感测装置，还包括网状结构，配置在该背半导体表面上。
6.如权利要求5所述的光学感测装置，包括数个像素，其中该网状结构定义数个开口，该些开口对应该些像素。
7.如权利要求5所述的光学感测装置，还包括：
透光层，在该网状结构上；及
透镜，在该透光层上。
8.如权利要求7所述的光学感测装置，其中该网状结构穿过该透光层，并接触该透镜。
9.如权利要求7所述的光学感测装置，其中该网状结构与该透镜是通过该透光层互相分离。
10.如权利要求5所述的光学感测装置，其中该网状结构包括反射材料。
11.如权利要求5所述的光学感测装置，其中该网状结构包括金属。
12.如权利要求1所述的光学感测装置，还包括抗反射层，在该背半导体表面上。
13.如权利要求12所述的光学感测装置，其中该沟槽隔离元件埋至该抗反射层中。
14.如权利要求12所述的光学感测装置，其中该抗反射层具有与该半导体基底的该背半导体表面的该纹理表面互补的表面。
15.如权利要求1所述的光学感测装置，其中该光学感测装置是背照式影像感测器。
16.如权利要求1所述的光学感测装置，其中该光学感测装置是红外线感测器。
17.如权利要求1所述的光学感测装置，还包括透镜，在该背半导体表面上。
18.如权利要求1所述的光学感测装置，还包括晶体管，形成在该半导体基底的该前半导体表面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
