[发明专利]光学感测装置在审
申请号: | 201810785007.7 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN110729314A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 谢丞聿 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体表面 半导体基底 沟槽隔离元件 光电二极管 光学感测装置 纹理表面 延伸 | ||
本发明公开一种光学感测装置,其包括半导体基底、沟槽隔离元件、及光电二极管。半导体基底具有相对的背半导体表面及前半导体表面。背半导体表面具有纹理表面。沟槽隔离元件从背半导体表面延伸至前半导体表面。光电二极管在半导体基底中。
技术领域
本发明涉及一种光学感测装置,且特别是涉及一种背照式影像感测器。
背景技术
随着电脑和通讯工业的发展,高效率的光学感测装置例如影像感测器的需求随之增加,其可应用在各种领域,例如数码相机、摄录影机、个人通讯系统、游戏元件、监视器、医疗用的微相机、机器人等。
背照式影像感测器为现今一种常见的高效率影像感测装置,且由于背照式影像感测器可以整合于传统的半导体制作工艺制作,因此具有制作成本较低、元件尺寸较小以及积集度较高的优点。此外,背照式影像感测器还具有低操作电压、低功率消耗、高量子效率(quantum efficiency)、低噪声(read-out noise)以及可根据需要进行随机存取(randomaccess)等优势,因此已广泛应用在现有的电子产品上。
随着元件尺寸的持续缩小以及半导体制作工艺的进步,背照式影像感测器的尺寸日益微缩。但是,除了尺寸要求之外,背照式影像感测器更面临光电转换效率(photo-electric conversion efficiency)、灵敏度(sensitivity)、低噪声(noise)等要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光学感测装置,以解决上述问题。
本发明提出一种光学感测装置包括半导体基底、沟槽隔离元件、及光电二极管。半导体基底具有相对的背半导体表面及前半导体表面。背半导体表面具有纹理表面。沟槽隔离元件从背半导体表面延伸至前半导体表面。光电二极管在半导体基底中。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举实施例,并配合所附的附图详细说明如下:
附图说明
图1为一实施例的光学感测装置的剖面示意图;
图2为一实施例中面对半导体基底的背半导体表面时的示意图;
图3为一实施例的光学感测装置的剖面示意图;
图4为一实施例中面对半导体基底的背半导体表面时的示意图;
图5为一实施例的光学感测装置的剖面示意图;
图6为一实施例的光学感测装置的剖面示意图;
图7为一实施例的光学感测装置的剖面示意图。
具体实施方式
以下以一些实施例做说明。需注意的是,本发明并非显示出所有可能的实施例,未于本发明提出的其他实施态样也可能可以应用。再者,附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此,说明书和图示内容仅作叙述实施例之用,而非作为限缩本发明保护范围之用。另外,实施例中的叙述,例如细部结构、制作工艺步骤和材料应用等等,仅为举例说明之用,并非对本发明欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各的细节可在不脱离本发明的精神和范围内根据实际应用制作工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。
图1绘示根据一实施例的光学感测装置102的剖面示意图。光学感测装置102包括半导体基底104、沟槽隔离元件106与光电二极管(photodiode)108。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的