[发明专利]成膜厚度的测量装置以及成膜设备在审

专利信息
申请号: 201810786259.1 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN108950511A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 匡友元 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/24
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶振片 成膜 测量装置 保护盖 热源 座体 薄膜 成膜设备 气化 去除 沉积 加热 蒸发 成膜材料 成膜效率 有效地 拆卸 罩设 开口 测量 穿过 维护 节约
【权利要求书】:

1.一种成膜厚度的测量装置,其特征在于,包括:

座体(1),所述座体(1)上设置有用于测量成膜厚度的晶振片(11);

保护盖(2),所述保护盖(2)罩设于所述座体(1)上,所述保护盖(2)上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片(11)上沉积成膜的开口(21);

热源(3),所述热源(3)用于加热所述晶振片(11)上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。

2.根据权利要求1所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,所述座体(1)上设置有多个所述晶振片(11),所述座体(1)上对应所述开口(21)的区域限定为成膜区(10a),所述座体(1)与所述保护盖(2)可相对移动,以将不同的晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。

3.根据权利要求2所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,多个所述晶振片(11)呈圆环形排布于所述座体(1)上,所述座体(1)与所述保护盖(2)可相对旋转,以将不同的晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。

4.根据权利要求3所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,所述座体(1)限定有受热区(10b),所述热源(3)固定于所述保护盖(2)朝向所述座体(1)的一面上并向所述受热区(10b)进行定向加热,所述座体(1)与所述保护盖(2)相对旋转时,将沉积有薄膜的晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中。

5.根据权利要求4所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,多个所述晶振片(11)呈旋转对称,所述成膜区(10a)与所述受热区(10b)的位置限定为:当一个晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中时,存在另一个晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。

6.根据权利要求3所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,所述成膜区(10a)与所述受热区(10b)位于所述多个晶振片(11)排布形成的圆环形的同一直径上,且所述成膜区(10a)与所述受热区(10b)分别位于所述直径的两端。

7.根据权利要求2所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,多个所述晶振片(11)并排设置于所述座体(1)上,沿所述多个晶振片(11)的排列方向上,所述座体(1)与所述保护盖(2)可往返移动,以将不同的晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。

8.根据权利要求7所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,所述座体(1)限定有受热区(10b),所述热源(3)固定于所述保护盖(2)朝向所述座体(1)的一面上并向所述受热区(10b)进行定向加热,所述座体(1)与所述保护盖(2)往返移动时,将沉积有薄膜的晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中,其中,沿所述座体(1)相对所述保护盖(2)的移动方向上,所述受热区(10b)位于所述成膜区(10a)的后方。

9.根据权利要求8所述的成膜厚度的测量装置,其特征在于,相邻两个所述晶振片(11)之间的距离相等,所述成膜区(10a)与所述受热区(10b)的位置限定为:当一个晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中时,存在另一个晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。

10.一种成膜设备,其特征在于,包括成膜腔室(200)、分别设置于所述成膜腔室(200)内的成膜材料源(201)和如权利要求1-9任一所述的成膜厚度的测量装置(100),所述成膜厚度的测量装置(100)从所述成膜材料源(201)同步获取成膜材料并测量成膜厚度。

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