[发明专利]成膜厚度的测量装置以及成膜设备

说明书

本发明公开了成膜厚度的测量装置以及成膜设备，所述成膜厚度的测量装置包括座体、保护盖和热源，所述座体上设置有用于测量成膜厚度的晶振片；所述保护盖罩设于所述座体上，所述保护盖上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片上沉积成膜的开口；所述热源用于加热所述晶振片上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。所述成膜厚度的测量装置通过在内设热源来对成膜后的晶振片进行加热，使晶振片上的薄膜被蒸发气化，无需采用拆卸晶振片再去除晶振片上的薄膜等繁琐的维护工序，节约了维护成本，并且有效地提高了成膜效率。

技术领域

本发明涉及成膜工艺的技术领域，尤其是成膜厚度的测量装置以及成膜设备。

背景技术

目前的成膜工艺中，常常通过晶振片测量成膜厚度，实现对成膜厚度及成膜速率进行实时监控，成膜材料同时在晶振片和待成膜的基板上进行成膜，根据测得晶振片在发生压电效应时的振动频率，获得当前成膜的厚度，并可计算出成膜速率，进而实现可控地在基板上制得指定厚度的薄膜。但是，由于晶振片本身固有的压电效应及振动频率衰减的线性有效性，随着所述晶振片上薄膜的厚度的增加，由晶振片的振动频率测得的成膜厚度的准确度将下降，因此，晶振片在使用一段时间后必须进行更换或者待去除晶振片上的薄膜后再投入使用，这造成了生产效率的降低并且增加了维护成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供成膜厚度的测量装置以及成膜设备，来解决上述问题。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

本发明提供了一种成膜厚度的测量装置，包括座体、保护盖和热源，所述座体上设置有用于测量成膜厚度的晶振片；所述保护盖罩设于所述座体上，所述保护盖上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片上沉积成膜的开口；所述热源用于加热所述晶振片上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。

优选地，所述座体上设置有多个所述晶振片，所述座体上对应所述开口的区域限定为成膜区，所述座体与所述保护盖可相对移动，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。

优选地，多个所述晶振片呈圆环形排布于所述座体上，所述座体与所述保护盖可相对旋转，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。

优选地，所述座体限定有受热区，所述热源固定于所述保护盖朝向所述座体的一面上并向所述受热区进行定向加热，所述座体与所述保护盖相对旋转时，将沉积有薄膜的晶振片移动至所述受热区中。

优选地，多个所述晶振片呈旋转对称，所述成膜区与所述受热区的位置限定为：当一个晶振片移动至所述受热区中时，存在另一个晶振片切换至所述成膜区中。

优选地，所述成膜区与所述受热区位于所述多个晶振片排布形成的圆环形的同一直径上，且所述成膜区与所述受热区分别位于所述直径的两端。

优选地，多个所述晶振片并排设置于所述座体上，沿所述多个晶振片的排列方向上，所述座体与所述保护盖可往返移动，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。

优选地，所述座体限定有受热区，所述热源固定于所述保护盖朝向所述座体的一面上并向所述受热区进行定向加热，所述座体与所述保护盖往返移动时，将沉积有薄膜的晶振片移动至所述受热区中，其中，沿所述座体相对所述保护盖的移动方向上，所述受热区位于所述成膜区的后方。

优选地，相邻两个所述晶振片之间的距离相等，所述成膜区与所述受热区)的位置限定为：当一个晶振片移动至所述受热区中时，存在另一个晶振片切换至所述成膜区中。

本发明提供了一种成膜设备，包括成膜腔室、分别设置于所述成膜腔室内的成膜材料源和如上所述的成膜厚度的测量装置，所述成膜厚度的测量装置从所述成膜材料源同步获取成膜材料。