[发明专利]NAND存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；

在所述基底上形成与所述第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，所述字线位于所述源极选择线和漏极选择线之间，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；

在相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触。

2.如权利要求1所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述第一有源区与所述隔离区均沿第一方向延伸，所述第二有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。

3.如权利要求2所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述源极选择线、漏极选择线以及字线均沿所述第二方向延伸。

4.如权利要求3所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，在所述源极选择线与所述字线之间，以及在所述漏极选择线与所述字线之间均形成有两条虚拟字线。

5.如权利要求1所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述共源极接触的横截面呈长方形或正方形，多个所述共源极接触均匀分布于所述第二有源区上。

6.如权利要求5所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，每个所述共源极接触位于相邻的两条所述第一有源区之间。

7.如权利要求1～6中任一项所述的NAND存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述源极选择线、漏极选择线与字线之前，所述NAND存储器的形成方法还包括：在所述隔离区上形成隔离结构。

8.一种NAND存储器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；

位于所述基底上的多条源极选择线与漏极选择线，所述源极选择线和漏极选择线与所述第一有源区相交，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；

位于所述源极选择线和漏极选择线之间的多条字线；

位于相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上的多个共源极接触，以及位于相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上的漏极接触。

9.如权利要求8所述的NAND存储器，其特征在于，所述第一有源区与所述隔离区均沿第一方向延伸，所述第二有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。

10.如权利要求9所述的NAND存储器，其特征在于，所述源极选择线、漏极选择线以及字线均沿所述第二方向延伸。

11.如权利要求10所述的NAND存储器，其特征在于，在所述源极选择线与所述字线之间，以及在所述漏极选择线与所述字线之间均设置有两条虚拟字线。

12.如权利要求8所述的NAND存储器，其特征在于，所述共源极接触的横截面呈长方形或正方形，多个所述共源极接触均匀分布于所述第二有源区上。

13.如权利要求12所述的NAND存储器，其特征在于，每个所述共源极接触位于相邻的两条所述第一有源区之间。

14.如权利要求8～13中任一项所述的NAND存储器，其特征在于，所述NAND存储器还包括：位于所述隔离区上的隔离结构。