[发明专利]NAND存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种NAND存储器及其形成方法，基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接第一有源区的第二有源区，在基底上形成与第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，字线位于源极选择线和漏极选择线之间，且第二有源区位于相邻的源极选择线之间，然后在相邻的源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触，与现有技术中呈条状的共源极接触相比，本发明中共源极接触与漏极接触的面积不会相差太大，从而避免刻蚀形成接触孔的过程中造成刻蚀负载效应，保证共源极接触与漏极接触的尺寸精度，提高NAND存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种NAND存储器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，开发出了各种半导体存储器件，如或非(NOR)闪存、与非(NAND)闪存等。相对于常规存储装置如磁存储器件，半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。其中，NAND结构正受到越来越多的关注。

NAND存储器的存储单元阵列包括串结构(string structure)。该串结构包括：漏极选择晶体管，其中漏极连接至位线(bit line)；源极选择晶体管，其中源极连接至公共源极线；以及多个存储单元，串联连接于所述漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间。多个串结构电隔离且并联耦接。并联连接漏极选择晶体管栅极的为漏极选择线，并联连接源极选择晶体管栅极的为源极选择线，并联连接存储单元栅极的为字线(word line)。串结构还沿垂直方向彼此连接。一串结构中的漏极选择晶体管的漏极连接至另一串结构的漏极选择晶体管的漏极，一串结构的源极选择晶体管的源极连接至另一串结构的源极选择晶体管的源极。

在相邻的漏极选择线之间形成的结区域为漏极，在漏极上形成漏极接触，在相邻的源极选择线之间形成的结区域为公共源极，在公共源极上形成共源极接触。但是，形成漏极接触与共源极接触时，首先需要刻蚀形成接触孔，而在刻蚀过程中通常会产生刻蚀负载效应(etch loading)，导致共源极接触或漏极接触达不到预定的精度要求，从而对最终形成的NAND存储器的性能造成影响。

发明内容

本发明提供一种NAND存储器及其形成方法，避免在形成漏极接触与源极接触的过程中发生刻蚀负载效应，提高NAND存储器的性能。

本发明提供的NAND存储器的形成方法，包括：提供一基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；

在所述基底上形成与所述第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，所述字线位于所述源极选择线和漏极选择线之间，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；

在相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触。

进一步的，所述第一有源区与所述隔离区均沿第一方向延伸，所述第二有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。

进一步的，所述源极选择线、漏极选择线以及字线均沿所述第二方向延伸。

进一步的，在所述源极选择线与所述字线之间，以及在所述漏极选择线与所述字线之间均形成有两条虚拟字线。

进一步的，所述共源极接触的横截面呈长方形或正方形，多个所述共源极接触均匀分布于所述第二有源区上。

进一步的，每个所述共源极接触位于相邻的两条所述第一有源区之间。

进一步的，在形成所述源极选择线、漏极选择线与字线之前，所述NAND存储器的形成方法还包括：在所述隔离区上形成隔离结构。

相应的，本发明还提供一种NAND存储器，包括：基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；