[发明专利]用于估计NAND快闪存储器的位错误率的快闪存储器系统和方法

权利要求书

1.一种用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其包括：

对具有多个阈值电压的多层单元快闪存储器执行编程操作；

对于每一阈值电压：

编程紧接大于所述阈值电压的状态，

定义至少一个检验阈值，

确定具有小于所述至少一个检验阈值的电压的第一单元数目，以及

基于所述第一单元数目和第一位错误率阈值亦即第一BER阈值，确定所估计的欠编程BER；以及

基于所述多个阈值电压的每一阈值电压的所述所估计的欠编程BER，确定总的欠编程BER。

2.根据权利要求1所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中确定所述总的欠编程BER包含使所述总的欠编程BER等于来自所述多个阈值电压的所述所估计的欠编程BER的最高所估计的欠编程BER。

3.根据权利要求1所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中对于每一阈值电压，确定所述所估计的欠编程BER包含确定所述第一单元数目大于所述第一BER阈值，且使所述所估计的欠编程BER等于所述至少一个检验阈值的所指派BER。

4.根据权利要求1所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中对于每一阈值电压，定义至少一个检验阈值包含定义小于所述阈值电压的第一检验阈值，定义等于所述阈值电压的第二检验阈值，以及定义大于所述阈值电压的第三检验阈值。

5.根据权利要求1所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其进一步包括：

对于每一阈值电压：

编程紧接小于所述阈值电压的状态，

确定具有大于所述至少一个检验阈值的第二单元数目，

基于所述第二单元数目和第二BER阈值来确定所估计的过编程BER，

基于所述多个阈值电压的每一阈值电压的所述所估计的过编程BER，确定总的过编程BER。

6.根据权利要求5所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中确定所述总的过编程BER包含使所述总的过编程BER等于来自所述多个阈值电压的所述所估计的过编程BER的最高所估计过编程BER。

7.根据权利要求5所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中对于每一阈值电压，确定所述所估计的过编程BER包含确定所述第二单元数目大于所述第二BER阈值，且使所述所估计的过编程BER等于所述至少一个检验阈值的所指派BER。

8.根据权利要求5所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中总的欠编程BER和总的过编程BER是二进制值，且其中所述方法进一步包括将所述总的欠编程BER和所述总的过编程BER存储在所述多层单元快闪存储器的状态读取寄存器中。

9.根据权利要求8所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其进一步包括接收提供所述状态读取寄存器的内容的请求，且响应于所述请求，提供所述状态读取寄存器的所述内容，其包含所述总的欠编程BER、所述总的过编程BER、编程合格/不合格状态、写保护状态以及忙碌/读取状态。

10.根据权利要求5所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其进一步包括基于所述总的欠编程BER和所述总的过编程BER中的较大者，确定总BER。

11.根据权利要求1所述的用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其中定义至少一个检验阈值包含基于所述多个阈值电压的每一阈值电压的所述所估计的欠编程BER的所要准确性，选择所述至少一个检验阈值的数目。