[发明专利]一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构在审
| 申请号： | 201810789169.8 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109065681A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;卢太平;董海亮;梁建;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳;赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绿光LED 垒层 量子阱 量子阱有源区 周期性结构 量子阱层 外延结构 空穴 半导体光电子 蓝宝石衬底层 电子阻挡层 材料领域 复合几率 极化效应 晶格常数 超晶格 形核层 单层 源区 辐射 应用 | ||
1.一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、u-GaN层、n-GaN层、第一应变减少层、InGaN/GaN量子阱有源区、电子阻挡层和p-GaN层；所述InGaN/GaN量子阱有源区包括GaN垒层和位于GaN垒层上的周期性结构，所述周期性结构的每个周期包括自下而上的第二应变减少层、InGaN量子阱层、第三应变减少层和GaN垒层；所述第一应变减少层为InGaN单层或InGaN/GaN超晶格，所述第二应变减少层和第三应变减少层的晶格常数小于所述InGaN量子阱层，并大于GaN垒层。
2.根据权利要求1所述的一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，所述第一InGaN应变减少层为In组分低于10%的InGaN单层或InGaN/GaN超晶格。
3.根据权利要求1所述的一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，所述第二应变减少层和第三应变减少层为In组分低于所述InGaN量子阱层的InGaN单层。
4.根据权利要求1所述的一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱有源区内，所述周期性结构的周期数n为3~10个。
5.根据权利要求1所述的一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为p型AlGaN单层或p型AlGaN/GaN超晶格。
6.根据权利要求1所述的一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，其特征在于，所述LED结构的发光波长为绿光到黄绿光波段的任一波长。
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