[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干分立的核心层；

在所述核心层的侧壁上形成牺牲侧墙，位于所述核心层一侧的牺牲侧墙为第一牺牲侧墙，位于所述核心层另一侧的牺牲侧墙为第二牺牲侧墙，所述第一牺牲侧墙和第二牺牲侧墙间隔设置；

在所述第一牺牲侧墙的侧壁上形成第一掩膜侧墙；

形成所述第一掩膜侧墙后，去除所述核心层，在所述牺牲侧墙内形成露出所述基底的开口；

在所述开口露出的第二牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜侧墙；

形成所述第二掩膜侧墙后，去除所述牺牲侧墙；

去除所述牺牲侧墙后，以所述第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲侧墙的侧壁上形成第一掩膜侧墙的步骤包括：在所述第一牺牲侧墙的侧壁和第二牺牲侧墙的侧壁上形成第一初始掩膜侧墙；

在所述基底上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层露出所述第二牺牲侧墙侧壁上的第一初始掩膜侧墙；

以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第二牺牲侧墙侧壁上的第一初始掩膜侧墙，保留所述第一牺牲侧墙侧壁上的第一初始掩膜侧墙作为所述第一掩膜侧墙；

形成所述第一掩膜侧墙后，去除所述第一光刻胶层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲侧墙的侧壁和第二牺牲侧墙的侧壁上形成第一初始掩膜侧墙的步骤中，形成所述第一初始掩膜侧墙的工艺包括原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲侧墙的侧壁上形成第一掩膜侧墙后，去除所述核心层之前，还包括：在所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述牺牲侧墙的侧壁以及所述第一掩膜侧墙的侧壁和顶部，且露出所述核心层的顶部。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口露出的第二牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜侧墙后，刻蚀所述基底之前，还包括：去除所述保护层。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保护层的步骤包括：在所述基底上形成保护材料层，所述保护材料层覆盖所述核心层顶部；

对所述保护材料层进行平坦化处理，使剩余保护材料层露出所述核心层顶部，所述平坦化处理后的剩余保护材料层用于作为所述保护层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口露出的第二牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜侧墙的步骤包括：在所述开口露出的第一牺牲侧墙侧壁和第二牺牲侧墙侧壁上形成第二初始掩膜侧墙；

在所述基底上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层露出所述第一牺牲侧墙侧壁上的第二初始掩膜侧墙；

以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一牺牲侧墙侧壁上的第二初始掩膜侧墙，保留所述第二牺牲侧墙侧壁上的第二初始掩膜侧墙作为所述第二掩膜侧墙；

形成所述第二掩膜侧墙后，去除所述第二光刻胶层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口露出的第一牺牲侧墙侧壁和第二牺牲侧墙侧壁上形成第二初始掩膜侧墙的步骤中，形成所述第二初始掩膜侧墙的工艺包括原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述核心层、牺牲侧墙、第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙中任一个的材料为无定形硅、无定形碳、无定形锗、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮化碳、多晶硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、ODL材料、DARC材料或BARC材料。

10.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为BARC材料、ODL材料、DARC材料、DUO材料、APF材料或无定形碳。