[发明专利]一种带有过流保护的过温保护电路

权利要求书

1.一种带有过流保护的过温保护电路，包括:电源（VCC）、第一PMOS管（MP1），第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2），第一双极型晶体管（Q1）、第二双极型晶体管（Q2）、第三双极型晶体管（Q3）、第四双极型晶体管（Q4）、第五双极型晶体管（Q5）、第六双极型晶体管（Q6）、第七双极型晶体管（Q7），第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6），第一反相器（INV1）、第二反相器（INV2）；

第一PMOS管（MP1）的漏端和第一电阻（R1）一端相连；第一PMOS管（MP1）栅极和第一NMOS管（MN1）的栅极记为MP1-g；第一PMOS管（MP1）源端和衬底接电源（VCC）；

第一NMOS管（MN1）漏端、第一双极型晶体管（Q1）基极、第三双极型晶体管（Q3）发射极均和第四双极型晶体管（Q4）基极相连，交点为A；第一NMOS管（MN1）源端及衬底接地；

第二NMOS管（MN2）的源端、第六双极型晶体管（Q6）集电极、第五电阻（R5）一端均和第一反相器（INV1）输入端相连，记为C1；第二NMOS管（MN2）漏端、第二NMOS管（MN2）栅极、第四双极型晶体管（Q4）集电极、第七双极型晶体管（Q7）基极均和第四电阻（R4）一端相连，记为MN2-g；第二NMOS管（MN2）的衬底接地；

第一双极型晶体管（Q1）集电极、第一电阻（R1）另一端均和第三双极型晶体管（Q3）基极相连；第一双极型晶体管（Q1）发射极、第二双极型晶体管（Q2）集电极均和第五双极型晶体管（Q5）基极相连；

第二双极型晶体管（Q2）基极、第四双极型晶体管（Q4）发射极均和第五双极型晶体管（Q5）集电极相连；第二双极型晶体管（Q2）发射极接地；

第三双极型晶体管（Q3）集电极与第二电阻（R2）一端相连；

第五双极型晶体管（Q5）发射极与第三电阻（R3）一端相连；

第六双极型晶体管（Q6）基极、第六电阻（R6）一端和第七双极型晶体管（Q7）集电极相连；第六双极型晶体管（Q6）发射极接地；

第七双极型晶体管（Q7）发射极接电源（VCC），第二电阻（R2）另一端接电源（VCC），第四电阻（R4）另一端接电源（VCC），第五电阻（R5）另一端接电源（VCC），第三电阻（R3）另一端接地，第六电阻（R6）另一端接地；

第一反相器（INV1）输出端与第二反相器（INV2）输入端相连，第二反相器（INV2）输出端记为Vout。

2.根据权利要求1所述的一种带有过流保护的过温保护电路，其特征在于，所述第一反相器（INV1）和第二反相器（INV2）为PMOS管和NMOS管构成的信号反相器。

3.根据权利要求1所述的一种带有过流保护的过温保护电路，其特征在于，所述第二反相器（INV2）输出端Vout，和过温检测电路的输出端输出的过温检测信号C1一致，表征温度变化的过温检测信号，温度升高过程，当温度超过过温阈值T_H，信号输出由高电平变为低电平，温度下降过程，温度低于恢复阈值T_L，信号输出由低电平转变为高电平。

4.根据权利要求1所述的一种带有过流保护的过温保护电路，其特征在于，所述第一反相器（INV1）和第二反相器（INV2）的输出信号电路隔离外部信号，以防止过温检测信号C1受外部信号干扰，提高电路性能。

5.根据权利要求1所述的一种带有过流保护的过温保护电路，其特征在于，所述过温保护电路工作的直流电压为：3.3V～5V。

6.根据权利要求1所述的一种带有过流保护的过温保护电路，其特征在于，所述第一双极型晶体管（Q1）、第二双极型晶体管（Q2）、第三双极型晶体管（Q3）、第四双极型晶体管（Q4）、第五双极型晶体管（Q5）和第六双极型晶体管（Q6）为NPN型三极管，所述第七双极型晶体管（Q7）为PNP型三极管。