[发明专利]一种带有过流保护的过温保护电路

说明书

本发明公开了一种带有过流保护的过温保护电路，包括:电源VCC、第一PMOS管MP1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2，第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3、第四双极型晶体管Q4、第五双极型晶体管Q5、第六双极型晶体管Q6、第七双极型晶体管Q7，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6，第一反相器INV1、第二反相器INV2。本发明过温检测电路的输出为温度变化的检测信号；温度升高过程中，当温度超过过温阈值T_H时，检测信号输出从高电平变为低电平，保护电路启动，产生过温保护信号，温度下降过程中，当温度低于恢复阈值T_L时，检测信号输出从低电平变为高电平，关闭保护电路，芯片恢复正常工作。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体涉及过温保护电路。

背景技术

传统集成电路的过温保护电路如图2所示，设电阻R1两端电压为V₁，电阻R2两端电压为V₂，由于三极管Q1的发射极-基极电压 V_EB具有负温度特性，在常温时,V_EBV_A时，信号OTP_OUT的输出为高电平1,使得M1开启，R2短路，得到V_A＝V₁，随着温度上升， V_EB减小,当V_EB≤V_A时,OTP_OUT翻转为低电平0,发出保护信号，此时Ml关断,M2开启,得到V_A＝V₁+V₂,电路处于过温保护状态，随着温度下降，V_EB増加,当V_EBV_A时,OTP_OUT又重新恢复输出高电平1,系统正常工作，可实现过温保护目的，但在不同供电电压下，导致I_PTAT的变化，使电阻R1、R2上的电压改变，导致该电路的温度阈值点和迟滞量产生较大偏移，电路性能得不到保证，而且该电路需电压比较器以及基准电压，结构复杂，所需元器件多，电路开闭不可控，功耗较大，且电流过大会烧坏器件，不符合集成电路的发展趋势，现有技术也还未全部解决这样的问题，而本发明即达到了基本的过温保护和迟滞的目的，又利用逻辑电平开关起到了泄流的作用，可以快速关闭整个电路，减小了功耗，又在电流过大时，电路形成自锁，使得电流减小，减小了功耗，又防止器件被烧坏，保护了芯片，而且自锁电路加速了温度检测信号输出的翻转，提高了灵敏度，信号输出电路隔离外部信号，以防过温检测电路输出信号受外部信号干扰，提高了电路性能，本保护电路提供一种结构简单、元器件少、功耗小、灵敏度高，电路开闭可控、过流可自锁的过温保护电路，性能高，无需电压比较器以及基准电压，设计难度低，可方便调节过温保护阈值，实现温度迟滞设置等，也保证芯片的安全和使用寿命。

发明内容

为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种带有过流保护的过温保护电路；结构简单、元器件少、灵敏度高、电路开闭可控、功耗小、性能高的过温保护电路，无需电压比较器以及基准电压，设计难度低，方便调节过温保护阈值，实现温度迟滞设置等，也保证了芯片的使用寿命。

为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：

一种带有过流保护的过温保护电路，包括:电源为VCC,第一PMOS 管MP1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2，第一双极型晶体管Q1为NPN型、第二双极型晶体管Q2为NPN型、第三双极型晶体管Q3为NPN型、第四双极型晶体管Q4为NPN型、第五双极型晶体管Q5为NPN型、第六双极型晶体管Q6为NPN型、第七双极型晶体管Q7为PNP型，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻 R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6，第一反相器INV1，第二反相器INV2。

第一PMOS管MP1的漏端和第一电阻一端相连；第一PMOS管 MP1栅极和第一NMOS管的栅极,记为MP1-g；第一PMOS管MP1 源端和衬底接电源。