[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

衬底，其具有单元阵列区域和与所述单元阵列区域相邻的连接区域；

多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在所述衬底的所述单元阵列区域和所述连接区域上，所述多个栅电极层在所述连接区域中形成台阶结构；

至少一个第一金属线，所述至少一个第一金属线划分所述多个栅电极层并且连接到所述衬底的所述单元阵列区域和所述连接区域；以及

至少一个第二金属线，所述至少一个第二金属线划分所述多个栅电极层的一部分并且连接到所述衬底的所述连接区域；

其中，基于所述衬底的上表面，所述至少一个第二金属线的下端部分的深度大于所述单元阵列区域中的所述至少一个第一金属线的下端部分的深度。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线沿与所述至少一个第一金属线延伸的方向相同的方向延伸，并且设置在所述连接区域的边缘部分处。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线的下端部分的深度与所述单元阵列区域中的所述至少一个第一金属线的下端部分的深度之间的差异为15nm或更多。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中从所述衬底的所述上表面到所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的上表面的高度为4.4μm或更大。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线沿交叉所述至少一个第一金属线的方向延伸，并且具有比所述至少一个第一金属线的长度短的长度。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线包括多个第二金属线，所述多个第二金属线的每个的所述下端部分的深度相对于相应位置朝向所述连接区域的边缘增大。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第一金属线包括多个第一金属线，所述多个第一金属线的每个的所述下端部分的所述深度相对于相应位置朝向所述连接区域的边缘增大。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器件，其中所述单元阵列区域中的所述多个第一金属线的所述下端部分的深度与所述连接区域的边缘部分处的所述多个第一金属线的所述下端部分的深度之间的差异为15nm或更多。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线包括多个第二金属线，所述多个第二金属线沿与所述至少一个第一金属线延伸的方向相同的方向延伸，并且具有比所述至少一个第一金属线的长度短的长度。

10.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个第二金属线包括多个第二金属线，所述至少一个第一金属线包括多个第一金属线，以及其中所述多个第二金属线包括具有不同线宽度的部分，并且所述多个第二金属线之间的间隔不同于所述多个第一金属线之间的间隔。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括沟道结构，所述沟道结构设置在所述单元阵列区域中，沿垂直于所述衬底的所述上表面的方向延伸，并且贯穿所述多个栅电极层。

12.根据权利要求11所述的垂直存储器件，还包括虚设沟道结构，所述虚设沟道结构设置在所述连接区域中，沿与所述沟道结构延伸的方向相同的方向延伸，并且所述虚设沟道结构贯穿所述多个栅电极层的至少一部分。

13.根据权利要求12所述的垂直存储器件，其中所述沟道结构和所述虚设沟道结构具有相同或相似的结构。