[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201810795085.5 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739402B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一前驱体溶液，所述第一前驱体溶液中含有Ni(OH)2；
将Se粉加入所述第一前驱体溶液中得到第二前驱体溶液，对所述第二前驱体溶液进行煅烧处理，得到所述复合材料；
所述复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述煅烧处理的步骤之前，还包括：对所述第二前驱体溶液进行干燥处理得到固态前驱体，对所述固态前驱体进行研磨处理得到前驱体粉末，对所述前驱体粉末进行煅烧处理，得到所述复合材料。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，按Se与Ni的摩尔比为(0.2-5):100，将所述Se粉加入所述第一前驱体溶液中；和/或
所述煅烧处理的温度为200-350℃；和/或
所述煅烧处理的时间为30-120min。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述第二前驱体溶液进行干燥处理的温度为40-100℃。
5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一前驱体溶液的制备方法包括：
提供镍盐，将所述镍盐溶于溶剂中，得到镍盐溶液；
将所述镍盐溶液在碱性条件下进行加热处理，得到所述第一前驱体溶液。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述镍盐选自硫酸镍、氯化镍和磷酸镍中的至少一种；和/或
所述镍盐溶液中镍盐浓度为0.5～2.0mol/L；和/或
所述碱性条件的pH由碱液提供，所述碱液选自四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液中的至少一种。
7.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒，所述Se掺杂在所述NiO纳米颗粒中以提高空穴传输效率，所述Se掺杂在所述NiO纳米颗粒中形成有Ni-Se化合物。
8.如权利要求7所述的复合材料，其特征在于，所述Se掺杂的NiO纳米颗粒中，Se与Ni的摩尔比为(0.2-5)：100。
9.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层的材料为权利要求7或8所述的复合材料。
10.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层与所述量子点发光层叠合设置，所述量子点发光层的材料为核壳量子点，且所述核壳量子点的壳层材料含有Se。
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