[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒。Se掺杂后的NiO纳米颗粒可以拥有更好的电荷传输能力，从而提高空穴传输效率。将Se掺杂的NiO纳米颗粒用于量子点发光二极管的空穴传输层，这样可提高该空穴传输层的空穴传输能力和导电能力，减少与电子传输层的电荷差，从而提高器件的整体发光效率。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。

背景技术

量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，用其作发光层可制成量子点发光二极管(QLED)。与有机电致发光二极管相比,量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、寿命长、制作成本低等优势。

QLED器件中，通常由载流子传输层与量子点发光层以三明治夹层形式构成，其中载流子传输层的性能会显著影响器件的发光效率和寿命等重要性能。目前，空穴传输层的传输性能远低于电子传输层，电子-空穴的电子传输效率不平衡，无法实现器件的整体电荷传输平衡，使得器件效率和寿命难以同时得到保障。

金属氧化物、有机聚合物等材料常被用于制备QLED空穴注入层和空穴传输层，金属氧化物比起有机聚合物空穴层材料具有更好的稳定性，不会腐蚀ITO基板，有利于制备更高寿命的器件，但由于这些氧化物的空穴迁移率低于有机聚合物，无法兼顾器件稳定性和空穴传输性能。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管，旨在解决现有空穴传输材料的空穴传输效率低的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种复合材料，所述复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒。

本发明提供的复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒，NiO为直接带隙的P型半导体，且其禁带宽度较宽(在3.6～4.0eV左右)，Ni(3d⁸4s²)自身的价电子排布使其能形成具有优异导电性的材料，而Se与Ni在电负性上的微小差异，使得Se可以与NiO中的Ni稳定结合，从而在NiO中形成一定量的Ni-Se化合物，因Ni-Se化合物具有高导电性能，进一步提高了复合材料的电学性能，因此，Se掺杂后的NiO纳米颗粒可以拥有更好的电荷传输能力，可提高空穴传输效率。将该Se掺杂的NiO纳米颗粒用于量子点发光二极管的空穴传输层，这样可提高该空穴传输层的空穴传输能力和导电能力，减少与电子传输层的电荷差，从而提高器件的整体发光效率。

本发明另一方面提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：

提供第一前驱体溶液，所述第一前驱体溶液中含有Ni(OH)₂；

将Se粉加入所述第一前驱体溶液中得到第二前驱体溶液，对所述得到第二前驱体溶液进行煅烧处理，得到所述复合材料。

本发明提供的复合材料的制备方法中，将Se粉与第一前驱体溶液混合后煅烧处理即得到具有高空穴传输能力和高导电能力的Se掺杂的NiO纳米颗粒复合材料，该制备方法工艺简单易行，适合大面积、大规模制备；将该Se掺杂的NiO纳米颗粒复合材料用于量子点发光二极管的空穴传输层，可提高该空穴传输层的空穴传输能力和导电能力，减少与电子传输层的电荷差，从而提高器件的整体发光效率。

本发明最后提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层的材料为本发明的上述复合材料。

本发明的量子点发光二极管中的空穴传输层，由本发明特有的复合材料组成，因此可提高该空穴传输层的空穴传输能力和导电能力，减少与电子传输层的电荷差，从而提高器件的整体发光效率。

附图说明