[发明专利]并行存取交叉点阵列中的存储器单元有效
申请号: | 201810798094.X | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN109147856B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 埃尔南·卡斯特罗 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 并行 存取 交叉点 阵列 中的 存储器 单元 | ||
1.一种并行存取存储器单元的方法,其包括:
选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元;
选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元;
在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压;
在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压;
在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元,并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元;以及
在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一行和所述第二存储器单元的所述第二行预充电到第二禁止电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一禁止电压与所述第二禁止电压相同。
4.据权利要求1所述的方法,其中存取所述第一存储器单元或所述第二存储器单元包括:
写入所述第一存储器单元、擦除所述第一存储器单元或读取所述第一存储器单元中的至少一者。
5.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一禁止电压大于所述第二禁止电压。
6.一种并行存取存储器单元的方法,其包括:
选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元;
选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元;
在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压;
在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压;
在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元,并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元;以及
在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一行和所述第二存储器单元的所述第二行预充电到第二禁止电压。
7.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括:
在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压,其中所述第二禁止电压不同于所述第一禁止电压。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一阈值偏压不同于所述第二阈值偏压。
9.一种并行存取存储器单元的方法,其包括:
选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元;
选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元;
在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压;
在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压;
在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元,并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元;
至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述第一列中的至少一个存储器单元中的每一个的至少一行施加禁止偏压来禁止所述第一列中的所述至少一个存储器单元;以及
至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述第一行中的至少一个存储器单元中的每一个的至少一列施加所述禁止偏压来禁止所述第一行中的所述至少一个存储器单元。
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