[发明专利]并行存取交叉点阵列中的存储器单元

说明书

本申请涉及并行存取交叉点阵列中的存储器单元。用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。

分案申请的相关信息

本申请是国际申请号为PCT/US2014/052763、申请日为2014年8月26日、发明名称为“并行存取交叉点阵列中的存储器单元”的PCT申请进入中国国家阶段后申请号为201480049464.X的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本文中揭示的标的物通常涉及集成电路中的装置，且特定地说涉及同时存取交叉点阵列内的多个单元的方法。

背景技术

并有硫属化物材料的装置(例如，双向阈值开关及相变存储元件)可在各种电子装置中找到。此类装置可在计算机、数码相机、蜂窝电话、个人数字助理等中使用。系统设计者可在确定是否针对特定应用而并有硫属化物材料及如何并有硫属化物材料时考虑的因素可包含例如物理大小、存储密度、可缩放性、操作电压及电流、读/写速度、读/写吞吐量、传输速率及/或功耗。

发明内容

一方面，本申请实施例提供一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压。

另一方面，本申请实施例提供一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一行和所述第二存储器单元的所述第二行预充电到第二禁止电压。

另一方面，本申请实施例提供一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述第一列中的至少一个存储器单元中的每一个的至少一行施加禁止偏压来禁止所述第一列中的所述至少一个存储器单元；以及至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述第一行中的至少一个存储器单元中的每一个的至少一列施加所述禁止偏压来禁止所述第一行中的所述至少一个存储器单元。