[发明专利]一种纳米金属光栅的制作方法及纳米金属光栅在审
申请号: | 201810798425.X | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN109031496A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 侯俊;陈书志 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02B5/18;G02F1/1335;G03F7/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光栅 纳米金属 平坦层 金属层 刻蚀阻挡层 压印胶 基板 刻蚀 光学衍射 光栅周期 显示不均 光栅层 水氧 掩模 制作 阻隔 | ||
1.一种纳米金属光栅的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一基板,在所述基板上形成平坦层;
在所述平坦层上形成刻蚀阻挡层;
在所述刻蚀阻挡层上形成金属层;
在所述金属层上形成具有光栅周期图形的压印胶;
以所述压印胶为掩模,对所述金属层进行刻蚀,以形成光栅层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光栅层的材料为铝,所述刻蚀阻挡层的材料为氧化铝、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,对所述金属层进行刻蚀的步骤包括:
采用等离子气体对未被压印胶覆盖的所述金属层进行干刻蚀。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述等离子气体为三氯化硼和氯气中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀阻挡层的厚度为10~100纳米。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基板上形成平坦层的步骤包括:
在所述基板上形成色彩转换层;
在所述色彩转换层上形成所述平坦层。
7.一种纳米金属光栅,其特征在于,所述纳米金属光栅包括从下到上依次形成的基板、平坦层、刻蚀阻挡层和光栅层;
其中,所述光栅层具有周期性的图案。
8.根据权利要求7所述的纳米金属光栅,其特征在于,所述刻蚀阻挡层的材料为氧化铝、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的纳米金属光栅,其特征在于,所述刻蚀阻挡层的厚度为10~100纳米。
10.根据权利要求7所述的纳米金属光栅,其特征在于,所述纳米金属光栅进一步包括色彩转换层;
其中,所述色彩转换层设置在所述基板和所述平坦层之间。
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