[发明专利]基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基板结构，其特征在于，包括：

第一线路结构，包括：

第一层，包括第一介电层和第一线路层，其中所述第一线路层嵌置于所述第一介电层中；以及

第二层，设置于所述第一层之下，并包括第二线路层，其中所述第二线路层与所述第一线路层电性连接；

第二介电层，设置于所述第一线路结构上，并具有第一开口暴露出所述第一线路层的一部分，其中所述第二介电层的熔点低于所述第一介电层的熔点，且所述第二介电层的热裂解温度低于所述第一介电层的热裂解温度；以及

第二线路结构，设置于第二介电层上，并具有与所述第一开口连通的第二开口，其中所述第二线路结构包括第三线路层，所述第三线路层与所述第一线路层电性连接。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括：

增层结构，设置于所述第一线路结构之下，其中所述增层结构包括：

第一增层，包括第四线路层，其中所述第四线路层与所述第二线路层电性连接。

3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，所述增层结构还包括设置于所述第一增层之下的第二增层，所述第二增层包括第五线路层，且所述第五线路层与所述第四线路层电性连接。

4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括：

第一导电垫，设置于所述第二线路结构之上，且所述第一导电垫与所述第三线路层电性连接；以及

第一阻焊层，覆盖所述第一导电垫，并具有第一孔洞暴露出所述第一导电垫的一部分。

5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括：

第二导电垫，设置于所述第一线路结构之下，且所述第二导电垫与所述第二线路层电性连接；以及

第二阻焊层，覆盖所述第二导电垫，并具有第二孔洞暴露出所述第二导电垫的一部分。

6.一种基板结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

(i)形成第一线路结构，其中所述第一线路结构包括：

第一层，包括第一介电层和第一线路层，其中所述第一线路层嵌置于所述第一介电层中；以及

第二层，设置于所述第一层之下，并包括第二线路层，其中所述第二线路层与所述第一线路层电性连接；

(ii)在所述第一线路结构上形成热裂解膜，其中所述热裂解膜的熔点低于所述第一介电层的熔点；

(iii)在所述热裂解膜的激光钻孔区域上形成第一金属层；

(iv)在所述热裂解膜和所述第一金属层上形成第二线路前驱结构；

(v)在所述激光钻孔区域的垂直投影方向上，对所述第二线路前驱结构和所述热裂解膜进行激光钻孔工艺，以形成第二线路结构、第二介电层、以及缺陷膜，其中所述第二线路结构包括第三线路层，所述第三线路层与所述第一线路层电性连接，所述缺陷膜设置于所述第一金属层与所述第一线路结构之间；以及

(vi)去除所述第一金属层和所述缺陷膜。

7.根据权利要求6所述的基板结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度与所述热裂解膜的厚度的比为2：1～3：1。

8.根据权利要求6所述的基板结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为15微米～30微米。

9.根据权利要求6所述的基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤(vi)是以剥离方式来去除所述第一金属层和所述缺陷膜。

10.根据权利要求6所述的基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤(i)包括下列子步骤：

(a)提供核心层，其中所述核心层包括核心介电层、设置于所述核心介电层下的第二金属层、以及设置于所述第二金属层下的第三金属层；

(b)在所述第三金属层之下形成所述第一线路结构的所述第一层；

(c)在所述第一层之下形成所述第一线路结构的所述第二层；以及

(d)剥离所述核心层，从而形成所述第一线路结构。